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[단독] 잠원동 학부모·주민 100여명, 학교 앞 ‘한겨울 농성’...학교·교육청 일단 ‘백기’

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Tuesday, December 08, 2020, 01:12:57

교장 공식 입장 촉구하며 7시간 버텨..교육청 포함 합의안 도출
경원중 “학부모 의사 결정 따를 것”..학부모 “혁신학교 철회해야”

 

인더뉴스 이재형 기자ㅣ지난 7일 서울 강남의 한 중학교 교장과 학부모 및 일대 주민 100여명이 갈등을 빚고 한 겨울에 거리에서 늦은 밤까지 대치하는 일이 발생했습니다.

 

서울 서초구 잠원동에 있는 경원중학교(교장 정회숙)가 충분한 학부모 여론 수렴 없이 혁신학교로 바뀌자 학부모들이 철회를 촉구하고 나선 사건인데요. 결국 교육청까지 나서 '혁신학교 관련, 학부모 의사결정에 따르겠다'는 취지의 합의문을 도출하며 갈등은 간신히 일단락됐습니다.

 

◆ 학교 앞 모인 학부모·주민 "혁신학교 철회하라"

 

경원중학교는 7일 밤 12시께 경원중, 경원중학교운영위원회, 서울시교육청이 서명한 '경원중학교 마을결합혁신학교(혁신학교) 관련 합의문'을 공개했습니다.

 

합의문에는 ▲경원중학교는 마을결합혁신학교에 대하여 학부모의 의사 결정이 있는 경우 추진하지 않기로 한다 ▲경원중학교는 학부모 및 지역사회의 의견에 따라 학교운영위원회의 심의 등 공식적인 절차를 통해 관련 행정 절차를 진행하기로 한다 ▲서울시교육청은 추후 진행될 경원중학교의 마을결합혁신학교와 관련한 학교운영위원회의 심의 결과에 따라 처리한다 등 조항이 쓰였는데요.

 

이날 합의문이 나오기까지 100~200여명의 시민들은 혁신학교 지정 철회 및 공식 입장을 촉구하며 학교 앞에서 7시간 동안 서 있었습니다.

 

경원중은 최근 서울시교육청에 의해 혁신학교(마을결합혁신학교)로 지정된 곳인데요. 지난달 30일이 돼서야 이 사실이 알려지면서 학부모와 주민들의 극심한 반대에 부딪혔습니다.(관련 <인더뉴스> 2일 보도 [단독] “학부모 속여 혁신학교 지정”…서울시교육청 ‘날치기’ 행정 논란)

 

학부모들은 혁신학교 지정 과정에 학교의 부정투표와 거짓 가정통신문 배포 등 의혹을 제기하기도 했지만 학교는 뚜렷한 답을 내놓지 않았습니다. 학부모들은 혁신학교 지정을 규탄하는 플래카드를 일대에 게재하고 지난 4일부터 학교 정문과 후문 등에 10인 이하로 모여 혁신학교 지정 철회를 촉구하는 집회를 열었습니다.

 

 

이에 정 교장은 대책 마련을 위해 이날 오후 2시 학교운영위원회(학운위)와 회의를 했는데, 이후 뜻하지 않게 사고가 발생했습니다. 한 학부모가 오후 5시께 학교 후문에서 나오는 한 차량을 교사 차량으로 보고 다가갔다가 차에 치인 겁니다.

 

차량은 현장을 떠났고, 이 소식이 잠원동 학부모와 주민들에게 퍼지면서 분노한 여론에 기름을 부었습니다. 주민 백여명이 금새 학교 앞에 모여 "교장이 혁신학교 철회 의사를 밝히라"고 촉구했고, 학교는 "정 교장이 나올 것"이라고 알렸는데요.

 

그러나 자정까지 기다려도 나타나지 않자, 지친 학부모와 주민들의 아우성이 곳곳에서 터져나왔습니다. 이 때 서울시교육청에서 양영식 교육혁신과장을 현장에 보냈고, 학교·학운위·교육청이 서명한 합의안이 공개되고 나서야 학부모들은 집으로 돌아갈 수 있었습니다.

 

다만 학부모들은 “합의문에 학부모의 의사 결정을 강조하긴 했지만 ‘혁신학교를 철회하겠다’는 확증은 없다”며 향후 추가 집회 가능성도 시사하고 있습니다. 한편 경원중은 향후 혁신학교에 대한 학부모 등 의견 수렴 방안을 모색할 계획입니다.

 

 

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


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인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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