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KT, ‘한국판 실리콘밸리 조성’ 합류한다

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Thursday, December 17, 2020, 09:12:03

KT-서울대-관악구, 벤처·창업 생태계 활성화 위한 ‘관악S밸리’ 조성 MOU
혁신벤처 발굴, 창업인프라 확대, 우수 인적자원 투입, 투자 연계 등 협력

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣKT가 한국판 실리콘밸리 조성에 합류합니다.

 

KT(대표이사 구현모)는 관악구, 서울대학교와 함께 관악구 대학동 및 낙성대동을 중심으로 하는 벤처창업 클러스터인 ‘관악S밸리’를 조성하기로 하고, 상호 협력을 위한 업무협약(MOU)을 지난 16일 체결했습니다.

 

‘관악S밸리’ 조성 사업은 관악구에 서울대의 우수 인재와 연구 역량을 바탕으로 아시아 최대 스타트업 육성 클러스터를 만들고, 스타트업 성장이 지역경제 활성화로 이어지는 자생적 창업생태계를 마련하는 사업입니다.

 

KT는 이러한 혁신창업 생태계 조성에 협력하는 첫 번째 기업으로 참여하며, 관악구, 서울대와 함께 ▲혁신기반 벤처 발굴 및 유치 ▲벤처 창업과 성장을 위한 인프라 확대 ▲서울대 학생과 교수 등 우수 인적자원 투입 ▲ 멘토링, IR 등 역량강화 교육 제공 ▲우수 벤처 투자 연계 등의 협력을 진행하기로 했습니다.

 

또 KT는 중소벤처기업부에서 지원하는 ‘사내벤처 프로그램’ 참여를 통해 KT 창업경진대회에서 선발된 스타트업에게 다양한 혜택을 부여하고, 스타트업의 성장단계별 액셀러레이션 프로그램도 제공할 계획입니다.

 

한편, 관악구와 서울대는 지난해부터 ‘서울시 대학캠퍼스타운 종합형 사업’에 참여하며 대학과 지역이 상생하는 창업밸리 조성에 박차를 가하고 있습니다. 4년간 100억원의 서울시 지원 외에도 관악구와 서울대가 각각 55억원, 105억원의 재원을 투자하기로 했는데요. 또한 총 200억원 규모의 창업지원펀드 조성도 마쳤습니다.

 

유기홍 더불어민주당 의원(서울 관악갑, 국회 교육위원회 위원장)은 “벤처밸리를 처음 공약하고 추진해온 입장에서 관악구는 청년인구가 많고 서울대 연구기관이 있어 벤처밸리를 조성하기 최적의 장소”라며, “대한민국의 경제 발전을 관악구가 이끌어갈 토대를 만들 것이라 기대한다”고 말했습니다.

 

정태호 더불어민주당 의원(서울 관악을, 국회 산업통상자원중소벤처기업위원회 위원)은 “관악을 벤처·창업 생태계의 요람으로 만들기 위한 이번 MOU 체결을 진심으로 환영한다”며, “업무협약이 일자리 창출, 지역경제 활성화 등 가시적 성과로 이어질 수 있도록 지원에 적극 나설 것”이라고 강조했습니다.

 

관악구청 박준희 구청장은 “이번 협약으로 국내 최고 대학인 서울대와 대한민국 정보기술을 선도하는 KT와의 상호협력체계 구축을 공고히 해 관악S밸리 사업 추진에 더욱더 박차를 가하게 됐다”며 “실리콘 밸리나 중관촌처럼 관악구가 세계적인 창업중심지로 변모하는 날이 머지 않았다”고 말했습니다.

 

오세정 서울대 총장은 “최근 우리 대학은 우수 기술에 대한 연구개발은 물론 이를 사업화하는 데에도 많은 관심을 기울이고 있다”며 “관악 S밸리 내 서울대, 관악구, KT의 참여는 지역-대학-산업이 연계된 혁신 창업 클러스터 조성을 위한 모멘텀이 될 것”이라고 말했습니다.

 

구현모 KT 대표는 “혁신창업국가를 핵심으로 하는 국가 정책에 KT가 기여하게 돼 매우 기쁘다”며 “KT의 인큐베이션, 관악구의 정책적 지원, 서울대의 인적 지원 등의 힘을 모으면 혁신창업의 효과가 경제 전반으로 퍼져나갈 수 있을 것”이라고 말했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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