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부산·대구·광주·울산 36곳 조정대상지역 지정...창원은 투기과열지구

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Thursday, December 17, 2020, 18:12:43

지방 대규모 규제지역 추가..인천 중구, 양주, 안성은 해제

 

인더뉴스 이재형 기자ㅣ정부가 17일 최근 집값이 강세를 보이는 창원시 의창구를 투기과열지구로, 부산 9곳, 대구 7곳, 광주 5곳, 울산 2곳, 파주·천안·전주·창원·포항 등 총 36곳을 조정대상지역으로 새로 지정했습니다.

 

국토교통부는 17일 주거정책심의위원회를 열고 이들 지역이 최근 집값 과열 현상이 벌어졌다는 이유로 신규 규제지역에 지정했다고 이날 밝혔습니다.

 

조정대상지역에 포함된 4대 광역시 중 부산은 서·동·영도·부산진·금정·북·강서·사상·사하구 등 9곳, 대구는 중·동·서·남·북·달서구, 달성군 등 7곳, 광주는 동·서·남·북·광산구 등 5곳, 울산은 중·남구 등 2곳이 포함됐습니다.

 

이외에 파주와 천안 동남·서북구, 논산, 공주, 전주 완산·덕진구, 창원 성산구, 포항 남구, 경산, 여수, 광양, 순천 등 11개 시 13개 지역이 조정대상지역에 묶였습니다. 창원 의창구는 조정대상지역보다 규제 강도가 센 투기과열지구로 지정됐다.

 

국토교통부는 수도권에 규제지역이 지정되면서 이들 지역까지 투자수요가 몰리는 풍선효과가 발생했다고 분석했습니다. 특히 창원은 성산구와 의창구 아파트 밀집 지역을 중심으로 가격이 급등한데다 외지인 매수 비중도 늘고 있다고 국토부는 진단했습니다.

 

국토부 관계자는 "과열 지역에서 외지인 매수와 다주택자의 추가 매수 등이 활발하게 벌어지고 있다"며 "부산 등 일부 지역에선 지난달 다주택자 매수 비율이 100%인 단지도 있었다"라고 말했다.

 

창원시는 앞서 성산·의창구를 조정대상지역 지정으로 건의하기도 했는데요. 국토부는 의창구의 경우 투기과열지구로 지정할 수 있는 정량요건은 충족했으나 조정대상지역 요건에는 맞지 않아 투기과열지구로 지정했다고 설명했습니다.

 

이번 조정대상지역 및 투기과열지구 지정 효력은 18일 0시부터 발생합니다.

 

한편 기존 조정대상지역으로 지정됐던 인천 중구, 양주시, 안성시 일부 읍면 지역은 규제지역에서 해제됐습니다. 이들 지역은 지난 6·17 부동산 대책에서 조정대상지역으로 지정됐었는데, 집값 상승률이 전국 평균보다 낮아 해당 지역에서도 규제의 불필요성을 꾸준히 제기한 바 있습니다.

 

이로써 조정대상지역은 111곳, 투기과열지구는 49곳이 됐습니다. 조정대상지역에선 주택담보대출비율(LTV)이 9억원 이하 구간은 50%, 9억원 초과분은 30%로 제한되고 총부채상환비율(DTI)은 50%가 적용됩니다. 양도소득세와 종합부동산세 등 부동산 관련 세금도 한층 강화되고 청약은 1순위 자격 요건이 높아집니다.

 

투기과열지구는 LTV가 9억 원 이하면 40%, 9억 원 초과는 20%의 대출 규제와 분양권 전매 제한과 같은 정비사업 규제 등 제약을 받습니다.

 

이외에도 국토부는 신규 규제지역으로 지정된 창원과 부산, 천안, 전주, 파주, 울산 등지를 대상으로 고강도 실거래 조사와 중개사무소 현장 단속에 착수합니다. 이를 위해 18일부터 특별사법경찰관 등 100여명의 '부동산시장 합동 점검반'을 가동해 불법 증여를 가려내고 업·다운계약, 집값담합, 불법중개행위 등도 집중 단속합니다.

 

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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