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정부 “얀센·화이자 12월, 모더나 내년 1월 계약 목표”

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Friday, December 18, 2020, 16:12:33

"노바백스와도 협의 진행..규모는 미정"

 

인더뉴스 남궁경 기자ㅣ정부가 해외에서 개발 중인 코로나19 백신을 도입하기 위해 존슨앤존슨-얀센과 화이자와는 이달 중, 모더나와는 내년 1월을 목표로 각각 계약 체결을 추진합니다.

 

앞서 정부가 구매 계약을 체결한 아스트라제네카 백신은 내년 2∼3월 중에 국내에 들여온다는 계획입니다. 정부는 코로나19 백신 물량 부족에 대비하기 위해 해외에서 개발 중인 백신 4400만명 분을 선 구매해 내년 2∼3월부터 순차적으로 도입하겠다는 계획을 밝힌 바 있습니다.

 

중앙재난안전대책본부(중대본)는 18일 열린 관계부처 합동 브리핑에서 백신 확보 계획을 이같이 발표했습니다.

 

정부는 백신 공동구매·배분을 위한 국제 프로젝트인 '코백스 퍼실리티'를 통해 1000만명분을, 코백스 퍼실리티와는 구매약정을 맺고 지난 10월 9일 선급금 850억원을 지급했습니다.

 

글로벌 제약사와의 개별 협상을 통해 3400만명분을 확보하기로 했습니다. 계약을 앞둔 존슨앤존슨-얀센에서는 400만명분을, 화이자에서는 1000만명분(2000만회분)을 각각 공급받게 되며, 모더나에서는 1000만명분(2000만회분)을 확보할 예정입니다.

 

임인택 보건복지부 보건산업정책국장은 "얀센과는 빠르면 다음 주 정도에 계약이 완료될 것으로 보인다"며 "화이자(와의) 계약서도 현재 최종 검토하는, 법률 검토를 하는 단계"라고 설명했습니다.

 

정부는 이들 4개 제약사 외에도 노바백스와도 협의를 진행하고 있는데요. 임 국장은 "오늘 아침에 노바백스와 구매 관련 협상을 정부 대표단이 했다"며 "물량과 관련해서도 논의가 있었는데 구체적으로 어떤 물량이 어느 정도 도입될 수 있을지 여부는 아직 추가적인 협의가 필요하다"고 했습니다.

 

정부는 코백스를 통해 확보한 백신도 내년 1분기에 도입할 수 있도록 논의 중입니다. 임 국장은 "코백스를 통한 1000만명분의 공급 시기는 현재 논의하고 있는 상황"이라며 "1차 공개 당시 아스트라제네카, 화이자, 사노피-글락소스미스클라인(GSK) 개발 백신 등 3가지 종류를 제안받았고, (우리가) 공급을 받겠다는 의사를 표명했다"고 밝혔습니다.

 

그는 이어 "내년 1분기에 도입될 수 있는 방안에 대해 코백스 집행부와 회의하고 있다"며 "다음 주에도 코백스 대표와 우리 관계부처 합동팀이 백신 공급 시기와 관련한 협의를 할 예정"이라고 전했습니다.

 

임 국장은 아스트라제네카 백신과 관련해선 "SK바이오사이언스에서 (위탁 생산할) '메이드 인 코리아 백신'이 내년 2월, 3월께 도입되고 여기에 따라서 접종을 하도록 준비하고 있다"고 말했습니다.

 

정부는 약 4400만명분의 백신 물량은 확실하게 확보했다는 입장을 재차 강조했습니다. 임 국장은 "내년이 끝나기 전에 4400만명분의 백신은 확보돼 있다"면서 "이 중 개별기업 협상을 통한 3400만명분의 백신은 확실하게 한국 정부에 공급하게 돼 있다"고 말했습니다.

 

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남궁경 기자 nkk@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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