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올릭스, B형간염 바이러스 억제 RNA 간섭 치료제 특허 출원

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Monday, December 21, 2020, 15:12:03

인더뉴스 증권시장팀ㅣ 신약 개발 기업 올릭스가 B형 간염 바이러스(HBV) 를 표적하는 RNA 간섭 치료제 후보물질에 대한 특허 출원을 완료했다고 21일 밝혔다.

 

이번에 올릭스가 특허를 출원한 GalNAc-asiHBV는 자사의 원천 플랫폼 구조인 비대칭 RNA 간섭 기술에 간세포를 표적하는 갈낙(GalNAc) 접합 기술을 도입한 물질이다. HBV 게놈으로부터 만들어지는 바이러스 RNA를 직접 표적하는 기전으로 효력을 나타내는 특징을 가지고 있다.

 

회사 관계자는 “해당 치료제는 올릭스가 갈낙 기술을 기반으로 공식적으로 개발을 천명한 첫 번째 간질환 파이프라인이며, 세포주 및 동물 모델(마우스)에서 우수한 HBV 유전자 발현 억제능을 확인했다”고 설명했다.

 

HBV는 B형 간염을 일으키는 DNA 바이러스다. B형 간염은 감염된 혈액 등의 체액에 노출되어 HBV가 세포에 침투, 바이러스 단백질을 생성시키는 기전으로 전파된다. B형 간염의 감염으로 간에 생긴 염증이 6개월 이상 지속되면 만성 간염이 되고, 간경변증, 간암으로도 발전할 수 있어 반드시 치료가 필요한 질환이다.

 

B형 간염의 전 세계 시장 규모는 2020년 기준 약 2조 6000억원에 달하며, 특히 중국의 시장규모가 전체의 약 40%의 비중을 차지하고 있다. 또한 HBV에 감염된 환자들을 역학 조사한 결과, 전 세계 약 2억 5000만명의 B형 간염 환자 중 36%에 달하는 약 9000만명의 환자가 중국에 있는 것으로 파악됐다.

 

이동기 올릭스 대표는 “RNA 간섭 기술 기반으로 B형 간염 치료제를 개발하는 타 경쟁사들이 존재함에도 불구하고 당사가 B형 간염 치료제 개발에 뛰어든 이유는 아시아, 특히 중국의 B형 간염 치료제 시장 규모가 크기 때문"이라고 말했다.

 

이어 "올릭스의 지리적 이점을 기반으로 B형 간염 치료제 수요가 큰 한국 및 중국에서 빠르게 임상에 진입해 향후 아시아 시장에서의 주도 기업이 될 수 있도록 최선을 다할 것”이라고 강조했다.

 

올릭스는 2021년 1월 미국에서 JP모건 헬스케어 컨퍼런스와 함께 개최되는 바이오텍 쇼케이스 파트너링 미팅에 참석해, 이번에 특허 출원한 HBV 치료제 및 기타 갈낙 플랫폼 기술을 이용한 파이프라인들의 기술수출에 대해 글로벌 제약사들과 논의할 예정이다.

 

 

 

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증권시장팀 기자 stock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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