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[인사] 대구시교육청

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Tuesday, December 22, 2020, 17:12:42

 

인더뉴스 이진솔 기자 | ▲대구시교육청

 

◇3급

 

<승진> ▶남부도서관장 황윤애

 

<공로연수파견> ▶남부도서관 안국상

 

<정년퇴직> ▶심경용 장해광

 

◇4급

 

<전보> ▶대외협력담당관 류천호 ▶총무과장 신호우 ▶총무과 교육파견 김동환 ▶총무과 교육부파견연장 박종성 ▶교육복지과장 김칠구 ▶회계정보과장 박정희 ▶예산법무과장 이재복 ▶창의융합교육원 총무부장 이명우 ▶학생문화센터 총무부장 김충하 ▶미래교육연구원 행정정보부장 이종현 ▶해양수련원장 이상진 ▶동부교육지원청 행정지원국장 문송태

 

<승진> ▶총무과 교육파견 권원희

 

<공로연수파견> ▶교육시설과 김경한

 

<정년퇴직> ▶정동섭

 

◇5급 전보

 

<교육행정> ▶대외협력담당관 공보담당 이은숙 ▶초등교육과 방과후학교담당 배미경 ▶중등교육과 중등학사담당 박경림 ▶총무과 총무담당 신재섭 ▶인사담당 임호 ▶시의회파견연장 이종근 ▶교육훈련파견 박현주 성미숙 이주연 ▶학교운영과 학생배치2담당 이원근 ▶재산사학담당 김선애 ▶교육복지과 교육복지담당 유민영 ▶학교급식지원담당 오영민 ▶회계정보과 계약담당 권오식 ▶출납담당 최영미 ▶데이터이용담당 임승창 ▶교육시설과 시설기획담당 박복경 ▶예산법무과 학교예산담당 유상수 ▶해양수련원 총무부장 천성희 ▶중앙도서관 총무과장 손정희 ▶낙동강수련원 총무부장 강동우 ▶팔공산수련원 총무부장 장재광 ▶달성고 이규식 ▶구암고 천은정 ▶서부고 김경환 ▶성산고 홍상원 ▶학남고 이성민 ▶도원고 천우식 ▶동문고 마희순 ▶강동고 차충협 ▶대진고 이상천 ▶비슬고 이성광 ▶대구과학고 김진열 ▶농업마이스터고 정석원 ▶대구공고 조미경 ▶일마이스터고 강현철 ▶일과학고 신종수 ▶세명학교 주경익 ▶동부교육지원청 행정지원과장 최성창 ▶재정평생교육과장 김재길 ▶서부교육지원청 행정지원과장 윤종식 ▶재정평생교육과장 성귀영 ▶남부교육지원청 학생복지지원과장 손미옥 ▶달성교육지원청 재정평생교육과장 고성식

 

<보건> ▶교육복지과 학교급식안전담당 홍종호 ▶서부교육지원청 학생복지지원과장 이재현

 

<시설> ▶교육시설과장 직무대리 주태식 ▶시설1담당 김경태 ▶동부교육지원청 시설지원과장 이지훈

 

◇5급 승진

 

<교육행정> ▶총무과 교육부파견 성진희 ▶매천고 이명주 ▶포산고 김홍철 ▶경북기공 마경희

 

<시설> ▶교육시설과 시설4담당 김경년

 

◇공로연수파견

 

<교육행정> ▶달성고 여강연

 

◇정년퇴직

 

<교육행정> ▶경북기공 권석근 ▶대진고 이성규

 

◇명예퇴직

 

<교육행정> ▶강동고 장병원

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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