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‘국정농단’ 파기환송심 오늘 마무리…이재용 3년 만에 최후진술

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Wednesday, December 30, 2020, 09:12:47

이재용 부회장 국정농단 파기환송심 결심 공판..3년 10개월 만에 마무리

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ4년 가까이 이어져 온 이재용 삼성전자 부회장의 ‘국정농단’ 파기환송심이 마무리됩니다. 이날 이 부회장은 국정농단 재판 관련 세 번째 최후진술에 나서는 가운데, 삼성 준법 경영 강화 의지를 밝힐지 주목됩니다.

 

30일 재계 등에 따르면 이재용 삼성전자 부회장은 이날 오후 2시5분께 서울고법 형사1부(정준영 부장판사) 심리로 열리는 국정농단 관련 뇌물공여 혐의 파기환송심 결심 공판이 열립니다.

 

결심 공판에서 특검의 구형이 내려집니다. 약 2시간에 걸쳐 변호인단의 최종 변론이 진행되며, 이후 이재용 부회장을 포함한 피고인들의 최후진술이 예정돼 있습니다.

 

이 부회장은 최후진술을 통해 지난 3년 10개월간 이어져 온 재판에 대한 소회와 심경, 삼성 준법 경영 강화 의지 등을 밝힐 것으로 전망됩니다.

 

이 부회장은 박근혜 전 대통령과 최서원(개명 전 최순실)씨에 그룹 경영권 승계 관련 청탁 대가로 300억원 상당의 뇌물을 건넨 혐의로 지난 2017년 2월 재판에 넘겨졌습니다.

 

1심은 이 부회장의 혐의 일부를 유죄로 보고 징역 5년을 선고했습니다. 이어진 항소심에서 일부 혐의가 무죄로 인정돼 징역 2년 6개월에 집행유예 4년으로 뒤집었습니다. 하지만 작년 8월 진행된 대법원은 2심에서 인정되지 않은 50억원의 뇌물·횡령액을 추가로 인정해야 한다며 판결을 깨고 다시 서울고법으로 돌려보냈습니다.

 

작년 10월부터 1년여간 파기환송심에서는 재판부가 삼성의 준법감시제도를 양형에 반영하겠다는 의지를 밝혀 특검과 대립각을 세우기도 했는데요. 특검이 재판부 변경을 요청했지만, 지난 9월 대법원이 특검의 기피신청을 기각하며 올해 10월 파기환송심 재판이 재개됐습니다.

 

이날 특검은 최소 징역 5년 이상 구형할 것으로 전망됩니다. 앞선 기일에서 특검은 “삼성 준법감시위원회의 실효성이 인정되더라도 징역 5년 이하의 형을 선고할 수 없다”고 주장했습니다. 1심과 2심에서는 각각 징역 12년을 구형한 바 있습니다.

 

이 부회장 측은 결심공판에서 뇌물공여가 수동적·비자발적임을 강조할 것으로 보입니다. 앞서 변호인단은 삼성 준법감시위의 지속가능성과 실효성 등 평가가 양형에 고려해야 한다는 취지로 재판부에 호소했습니다.

 

재판부가 준법위 활동 등을 근거로 집행유예를 유지한다면 삼성그룹의 관련한 불확실성 일부는 해소될 전망입니다. 파기환송심 선고는 결심 공판 이후 한 달 기간이 소요된 만큼 내년 1~2월 중으로 열릴 예정입니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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