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[경제 리포트] 올해도 美증시 ‘강세장’ 들어서나?...부양책·선거에 주목

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Sunday, January 03, 2021, 06:01:00

미국 新행정부, ‘유동성 공급·저금리 기조’ 유지 전망
한은 “재정지원 작년보다 감소..0.5조~1조달러 예상”
주요 금융사 “기업심리 회복..투자 증가율 최대 5%”

 

인더뉴스 유은실 기자ㅣ코로나19 여파로 작년 한 해 세계 각국 정부는 천문학적인 유동성 공급에 나섰습니다. 전문가들은 새해에도 미국을 비롯한 유럽연합, 일본 등 선진국과 중국의 유동성 공급이 지속되고 금리는 유지될 것으로 전망합니다.

 

2021년에도 작년 주가 상승을 이끈 저금리, 유동성 공급 기조가 이어질 거라는 예측인데요. 코로나19 회복 국면과 맞물려 주식 강세장이 들어설지, 국내 개인 해외주식투자자인 이른바 '서학 개미'들이 집중한 미국의 재정정책 전망을 살펴봅니다.

 

한국은행은 지난해 말 발표한 ‘2021년 미국경제 전망 및 주요 이슈’를 통해 미국의 경제성장률과 재정정책 방향에 따른 금융시장 전망을 내놓았습니다. 보고서에 따르면 올해 미국 경제는 백신보급, 정책지원 등에 힘입어 작년 대비 3.1~3.8% 성장할 것으로 보입니다.

 

작년 말부터 코로나19가 재확산되면서 미국 경제 회복에 상당한 하방리스크로 작용할 수 있다고 평가했습니다. 다만 그 충격은 백신 개발 등에 따른 경제 정상화 기대로 팬데믹 초기에 비해 제한적일 것으로 예측했습니다.

 

이에 따라 올해 추가 재정지원법안 규모는 작년보다 크게 줄어 5000억~1조달러 수준으로 전망했습니다. 새로운 행정부의 추가 부양정책에도 불구하고 2020년 재정지원 지출(약 2조 8000억달러)에 대한 기저효과 커 정부지출 성장률은 낮아질 것으로 예상했습니다.

 

이는 미국의 과도한 국가 채무 증가 우려에 따른 예측으로 보입니다. 미 의회예산국(CBO)은 추가 부양책과 바이든 당선인의 공약이 반영되지 않는다는 가정 하에 향후 5년간 연방정부 부채는 6조 5000억달러 증가하고, GDP대비 부채비율은 100%를 넘어갈 것으로 추산했습니다.

 

또 한국은행은 오는 5일(현지시각) 치뤄지는 조지아주 상원 결선투표에서 예상 밖의 블루웨이브로 미국 민주당이 백악관과 상·하원을 동시에 장악하더라도, 부양책 규모가 당장 1조달러를 상회하기 어렵다고 말했습니다.

 

민주당이 상원에서 합법적인 의사진행 방해 없이 추가 재정지원법안을 통과시키려면 60석을 확보해야 하기 때문입니다. 따라서 바이든 행정부는 추후 별도의 재정부양책을 추진하거나, 예산안 편성시 의결 정족수가 과반인 조정 절차를 활용할 가능성이 크다고 예상했습니다.

 

시장은 5000억~1조달러 수준의 재정부양책이 도입되면 올해 경제성장률이 대체로 1~2.5%포인트 높아질 것으로 추정합니다. JP모건에 따르면 코로나19로 얼어붙었던 기업심리도 V자 반등을 보이며 코로나 이전 수준으로 회복할 전망입니다.

 

기업투자는 코로나19와 대선 관련 불확실성이 축소되면서 상당폭 늘어날 것으로 보입니다. 미국 주요 금융사의 작년 대비 기업투자 증가율 전망치는 ▲모건스탠리 5.1% ▲JP모건 3.2% ▲골드만삭스 5.3% ▲웰스파고 4.6%입니다.

 

한국은행 관계자는 “다만 동일한 규모의 부양책도 지출구성에 따라 재정승수(재정지출 증가에 따른 국민소득 증가량) 매우 상이할 수 있다”며 “아직까지는 정책 관련 불확실성이 있고, 작년 중 큰 폭 증가한 기업부채가 투자의 제약요인으로 작용할 수 있다”고 말했습니다.

 

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유은실 기자 yes24@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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