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[신년사] 신동빈 롯데 회장 “10년 후에도 일하고 싶은 회사를 함께 만들자”

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Monday, January 04, 2021, 10:01:19

롯데그룹 ‘비대면’ 시무식 열어

 

인더뉴스 이진솔 기자 | “강력한 실행력으로 5년 후, 10년 후에도 일하고 싶은 회사를 함께 만들어가자.”

 

롯데는 신동빈 회장이 이 같은 내용을 담은 2021년 신년사를 임직원에 전달했다고 4일 밝혔습니다. 그는 지난해 여러 현장을 방문하며 “악전고투의 현장에서 마스크 위로 보이던 여러분의 눈빛에서 반드시 이 위기를 극복하겠다는 결의를 읽었다”고 말했습니다.

 

이어 “지금까지 우리는 다양한 사업분야에서 업계를 선도할 정도로 탄탄한 경쟁력을 쌓아왔다고 자부했다”며 “하지만 유례없는 상황에 핵심역량이 제 기능을 발휘했는지 돌아보자”고 제안하며 세 가지 사항을 당부했습니다.

 

첫 번째로는 “그동안 축적한 역량을 바탕으로 지금껏 간과했던 위험요소에 대한 대비책을 마련하자”며 강력한 실행력을 바탕으로 한 시너지 창출을 요구했습니다. 신동빈 회장은 “주변 위험요인에 위축되지 말고 각 회사가 가진 장점과 역량을 합쳐 시너지를 만드는 데 집중해 달라”고 말했습니다.

 

두 번째로는 “경제가 활력을 되찾을 때 즉각 대응할 수 있도록 준비된 자세와 경기회복을 주도하겠다는 능동적이고 자발적인 태도가 필요하다”며 위기 극복을 위한 임직원의 자율적 참여를 촉구했습니다.

 

신동빈 회장은 “유능한 인재들이 베스트 플레이를 펼칠 수 있는 환경을 만드는 데 앞장서겠다”며 “임직원이 더 많은 자율성을 가질수록 위기상황에 더 민첩하게 대처할 수 있을 것”이라고 설명했습니다.

 

세 번째로는 “고객과 사회로부터 받은 신뢰를 소중히 지켜나가며 긴 안목으로 환경과 조화로운 성장을 추구해야 한다”고 말했습니다. 또한 “스타트업을 비롯한 다양한 파트너들과 경계를 허물고 소통하며 서로 신뢰할 수 있는 협업 생태계를 만들어가자”며 지속성장을 위한 사회적 가치 창출을 강조했습니다.

 

신동빈 회장은 인권운동가 안젤라 데이비스의 ‘벽을 눕히면 다리가 된다(Walls turned sideways are bridges)’는 말을 인용하며 신년사를 마무리했습니다. 그는 “눈앞의 벽에 절망할 것이 아니라 함께 벽을 눕혀 도약의 디딤돌로 삼는 한 해를 만들자”고 임직원들을 격려했습니다.

 

롯데지주를 비롯한 그룹 계열사는 이날 신종 코로나바이러스 감염증(코로나19) 예방을 위해 ‘비대면’으로 시무식을 진행했습니다. 신동빈 회장 신년사는 새롭게 문을 연 그룹포털 홈페이지를 통해 임직원들에 발표됐습니다. 롯데는 최근 디지털 업무환경 강화 및 임직원 소통 활성화를 위해 사내 홈페이지를 개편했습니다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


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2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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