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[신년사] 박정호 SK하이닉스 부회장 “글로벌 경쟁자와 협업해 한계 돌파하자”

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Monday, January 04, 2021, 17:01:07

이천캠퍼스에서 비대면으로 신년회 진행

 

인더뉴스 이진솔 기자 | 박정호 SK하이닉스 부회장이 신년사를 통해 글로벌 ICT(정보통신기술) 강자들과 협업해 기술적, 사업적 한계를 돌파하기 위한 해법을 찾자고 주문했습니다.

 

박정호 부회장과 이석희 대표이사는 4일 오전 이천캠퍼스에서 비대면으로 진행된 신년회에서 2021년 신년사를 발표했습니다. 박정호 부회장은 “인수를 발표한 2011년 11월 당시 채 13조원이 되지 않았던 기업가치가 80조를 넘어 100조원을 향해 달려가고 있다”며 “시장 우려를 기대와 부러움으로 바꿔온 주인공은 바로 구성원 여러분”이라고 말했습니다.

 

이어 “신종 코로나바이러스 감염증(코로나19)으로 디지털 전환이 가속화됐지만, 이면에는 기술적 난제와 대단위 투자에 대한 부담 등 많은 어려움을 마주하고 있는 것도 사실”이라며 “글로벌 ICT 생태계 새로운 판을 짜고 선도하기 위한 핵심 동력으로 ‘초협력’을 강조해 왔으며 SK하이닉스에서는 ‘글로벌 테크 리더십’이라고 표현하겠다”고 했습니다.

 

 

박정호 부회장은 “글로벌 테크 리더십은 글로벌 ICT 강자들과 협업을 통해 기술적, 사업적 한계를 돌파하기 위한 해법을 찾아가는 것”이라고 정의하며 “기존 파트너와 협력 관계를 단단히 하는 수준을 넘어 경쟁자와도 손을 잡을 정도로 혁신적인 협업을 모색하는 등 외부 자원과 아이디어를 활용해야 한다”고 강조했습니다.

 

또한, 박정호 부회장은 “지난해 인텔 낸드 사업 인수 또한 단순히 시장점유율 확대가 아닌 글로벌 ICT 플레이어와 더욱 긴밀한 협업 관계를 만들기 위한 포석”이라며 “글로벌 테크 리더십 강화를 위해 새롭고 혁신적인 협업 관계와 파트너십을 만들어 가는 역할을 수행하겠다”고 포부를 밝혔습니다.

 

이석희 대표이사는 “2021년은 지난해 10월 발표한 파이낸셜 스토리가 본격적인 실행으로 연결되는 동시에 진화가 완성되어 가는 한 해가 될 것”이라며 “D램과 낸드 양 날개를 펼쳐 지속적인 사업 성장을 도모하는 한편 ESG(환경·사회적 책임·지배구조)를 강화해 인류와 사회에 기여하겠다”고 밝혔습니다.

 

이어 “올해 말 인텔 낸드 사업 인수가 완료되면 시너지를 창출하고 시장에서 새로운 위상을 확보하기 위해 남은 1년 동안 우리 스스로 역량을 한 단계 더 향상해야 한다”고 강조했습니다. 또한 “D램에 있어서는 더 이상 빠른 추격자가 아닌 선도자로 시장을 주도해 나갈 수 있다는 확신을 갖고 업계를 선도하는 기술 리더십을 더욱 공고히 할 것”이라고 덧붙였습니다.

 

ESG 경영활동에 대한 의지도 피력했습니다. “ESG와 관련해 올해에는 더 다양한 활동이 추진될 계획”이라며 “국내 최초로 RE100(2050년까지 재생에너지 100% 사용)을 선언하고 CEO 직속으로 ESG 전담 조직도 편성했다”고 말했습니다.

 

이어 “시가총액 100조 달성과 인텔 인수 등이 불가능해 보였지만, 모든 일이 우리 패기와 집념으로 현실이 되고 있다”며 “100조 달성이 가시권에 들어와 있는 만큼 인수 완료를 착실히 준비해 우리 사업에 굳건한 한 축으로 자리 잡도록 하자”고 당부했습니다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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