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[CES 2021] 삼성전자, ‘갤럭시S21 눈’ 이미지센서 ‘아이소셀 HM3’ 선봬

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Friday, January 15, 2021, 01:01:00

1억 800만화소 프리미엄 이미지센서 ‘아이소셀 HM3’ 출시
초고화소에 자체 카메라 기술 탑재하여 역대 최강 성능 달성

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ 삼성전자가 최첨단 고감도 촬영 기술 탑재로 더욱 완벽해진 1억 800만화소 이미지센서 ‘아이소셀 HM3’를 출시했습니다. 삼성전자는 현재 ‘아이소셀 HM3’를 양산하고 있다.

 

이번 ‘아이소셀 HM3’는 HMX, HM1에 이은 삼성전자의 3세대 0.8㎛(마이크로미터, 100만분의 1미터) 1억 800만화소 이미지센서인데요. 이 제품은 ‘1/1.33인치’ 크기에 픽셀 1억 800만개를 집적했습니다.

 

이 제품은 ‘스마트 ISO 프로’, ‘슈퍼 PD 플러스’ 등 삼성전자 자체 카메라 기술을 탑재해 언제 어디서나 전문가 손길이 닿은 듯한 완성도 높은 사진 촬영이 가능합니다.

 

‘스마트 ISO 프로’는 터널의 출구와 같이 밝고 어두운 부분이 섞여있는 환경에서 서로 다른 ISO 값으로 빛을 증폭하고 이를 합성하는 HDR(High Dynamic Range) 기술입니다.

 

ISO는 ‘감도’라고 불리며, 빛에 얼마나 민감하게 반응하는지를 나타내는데요. 감도가 낮으면 빛에 둔감하게 반응하지만 사진의 화질은 향상되고, 반대로 감도가 높으면 빛에 민감하게 반응하지만 노이즈가 발생합니다.

 

시간을 달리해 여러 번 촬영하는 기존 HDR 기술은 피사체의 움직임이 잔상으로 나타날 수 있는 반면 ‘스마트 ISO 프로’는 이미지 촬영 감도 차이를 이용하는 기술이기 때문에 잔상을 최소화할 수 있습니다.

 

 

또 ‘스마트 ISO 프로’ 모드에서는 기존 10비트(10억 7000만 색상)보다 약 64배 이상 색 표현 범위를 넓힌 12비트(687억 색상)로 촬영하기 때문에 더 풍부한 색 표현이 가능합니다.

 

삼성전자는 ‘아이소셀 HM3’에 최적화된 마이크로 렌즈를 탑재한 ‘슈퍼 PD 플러스’ 기술도 탑재했습니다. 어두운 환경에서도 기존보다 50% 빠르게 초점을 검출할 수 있어 흔들림 없는 이미지를 촬영할 수 있습니다.

 

또한, 빛의 양에 따라 인접하는 9개 픽셀을 하나로 묶어 색 재현력을 높이고 노이즈 억제 기술도 추가해 기존 대비 최대 50%까지 감도를 향상시켰습니다.

 

특히, 삼성전자는 ‘아이소셀 HM3’ 설계최적화로 프리뷰 모드 동작 전력을 기존 대비 약 6% 줄이는 등 제품 사용에 필요한 에너지를 최소화하기 위해 노력했습니다.

 

장덕현 삼성전자 시스템LSI사업부 센서사업팀 부사장은 “삼성전자는 픽셀 집적 기술 외에도 이미지센서 성능 향상을 위한 끊임없는 혁신을 통해 고객이 요구하는 것 이상의 제품을 지속 출시하고 있다”며 “아이소셀 HM3는 최신 카메라 기술이 집약된 삼성전자 이미지센서 기술력의 결정체로 차세대 모바일 기기의 핵심 솔루션”이라고 말했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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