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LG전자, ‘사외벤처 분사’ 신사업 추진 속도 낸다

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Sunday, January 17, 2021, 10:01:53

외부 엑셀러레이터와 사업기회 발굴해 사업화한 첫 사례
임직원 대상 사내벤처 프로그램 ‘LGE 어드벤처(LGE+VENTURE)’ 운영

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣLG전자가 임직원이 낸 혁신적인 아이디어 기반의 프로젝트를 사외벤처로 분사하며 미래 신사업 추진에 속도를 내고 있습니다.

 

17일 LG전자는 최근 미래사업 준비, 성장동력 다변화를 위해 사업성이 있다고 판단한 프로젝트를 사외벤처로 분사했습니다.

 

이 사외벤처는 LG전자 임직원이 창업 컨설팅을 제공하는 외부 엑셀러레이터(Accelerator)와 함께 새로운 사업기회를 발굴해 사업화하는 첫 사례인데요. LG전자는 스타트업 육성기업 퓨처플레이와 협업해 이번 프로젝트를 진행했습니다.

 

LG전자는 이 사업이 성공적으로 자리를 잡을 수 있도록 적극적인 투자는 물론 회사가 보유한 다양한 기술 역량과 네트워크를 지원할 예정입니다.

 

올해 초 분사한 사외벤처는 ‘큰 즐거움이 끝없이 펼쳐지는 멋진 여정을 이어가겠다’는 포부를 담아 회사명을 ‘EDWO(Eternal Delight, Wonderful Odyssey)’로 했습니다.

 

이 회사는 패션 산업 이해도와 빠른 실행력을 바탕으로 새로운 고객가치를 창출할 계획입니다. 뉴노멀 시대에 맞춰 언택트 방식의 패션 플랫폼을 구축하고 온라인에서 고객 체형에 맞는 최적 사이즈와 핏을 찾아주는 ‘히든피터(Hidden Fitter)’ 서비스를 본격적으로 시작합니다.

 

LG전자는 이번 사례를 시작으로 사내·외 벤처를 비롯해 다양한 시도를 도입하고 고객가치 기반의 신사업과 창의적인 조직문화를 적극 육성할 예정입니다.

 

LG전자는 사외벤처로 이동하는 임직원이 희망할 경우 5년 이내에 회사로 복귀할 수 있도록 했습니다. 이는 회사 내에 새로운 도전을 적극 장려하는 한편 벤처기업을 운영하면서 얻은 경험을 임직원들과 공유하려는 취지입니다.

 

앞서 지난해 말 LG전자는 사내벤처 프로그램 ‘LGE 어드벤처’를 도입하고 최종 2개 팀을 선정한 바 있습니다. LGE 어드벤처의 최종 결과물이 사업성이 있다고 판단될 경우 해당 팀은 회사 내에서 사업을 진행하거나 사외벤처 형태로 독립할 수 있습니다.

 

우람찬 LG전자 비즈인큐베이션센터 상무는 “임직원들이 낸 혁신적인 아이디어 기반의 사내·외 벤처를 적극 도입해 새로운 고객가치를 지속 발굴하고 창의적인 조직문화를 만들어 나갈 것”이라고 말했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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