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신격호 명예회장 1주기…신동빈 “父 끊임없는 도전 가르침 새기겠다”

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Monday, January 18, 2021, 09:01:48

사회적 거리두기 방침 따라 온라인으로 진행

 

인더뉴스 이진솔 기자 | 롯데가 창업주인 고(故) 신격호 명예회장의 1주기를 기리기 위해 온라인에 추모공간을 마련했습니다.

 

롯데지주(대표 신동빈·송용덕·이동우)는 18일부터 22일까지 5일 동안 신격호 명예회장을 기리는 온라인 추모관을 운영한다고 이날 밝혔습니다. 추모사와 추모 영상, 신격호 명예회장 일대기와 어록 등이 게재됩니다. 추모 영상에는 맨손으로 일본으로 건너가 사업을 일구고 모국에 투자해 식품, 관광, 유통, 중화학 산업 발전에 기여한 업적을 재조명하는 내용이 담겼습니다.

 

신동빈 롯데 회장은 온라인 추모관에 올린 인사말을 통해 “아버지는 조국에 대한 깊은 사랑을 가지고 끊임없는 도전과 남다른 열정으로 사회와 국가에 기여하고 싶어하셨다”며 “아버지와 같은 시대를 살 수 있어서 영광이었고 가르침을 깊이 새기겠다”고 했습니다. 추모 영상에서는 울주군 고향 집 실내 모습이 처음으로 공개되기도 했습니다.

 

신격호 명예회장 장녀인 신영자 롯데복지재단 전 이사장은 추모영상에서 “어린 시절 낯선 타국에서 힘들게 사업을 하시면서도 늘 고국과 고향을 생각하고 그리워하셨다”며 “그런 마음이 롯데라는 그룹을 일구고 한국 경제에 이바지할 수 있는 원동력이 됐다고 생각한다”고 말했습니다.

 

고인의 평생 숙원사업인 롯데월드타워 공사를 담당했던 한 임원은 추모 영상을 보고 “터 파기 공사 때부터 수행원도 없이 수시로 방문하셔서 구석구석을 다 둘러보셨다”며 “고객이 안전하고 편안하게 즐길 수 있는 건물을 지으라고 신신당부하시던 모습이 떠올랐다”고 회상했습니다.

 

신격호 명예회장과 수십 년 간 복합프로젝트 개발 사업을 함께해 온 건축가 오쿠노 쇼 회장은 “회의 때 아무도 경험해 보지 못한 새로운 사업에 대해 부정적인 의견이 많은 상황이었다”며 “고인은 다른 사람이 하지 않는 것을 내가 한다는 마음으로 어떤 것에든 도전해야 한다고 했다”고 전했습니다.

 

각계각층에서 추모사도 이어졌습니다. 반기문 전 UN사무총장은 “시절이 어두울수록 더욱 혼신의 빛을 발휘하셨고 꿈이 무너질 수 있는 순간에 오히려 더욱 큰 꿈을 실현하셨다”며 “도전정신과 생전 삶이 포스트 코로나 시대를 준비하고 있는 우리에게 가장 큰 교훈과 표본이 된다”고 추모했습니다.

 

이홍구 전 국무총리는 “당신이 보여주신 강한 신념과 도전정신 그리고 기업인으로서의 자세를 머리와 가슴으로 뚜렷하게 각인하고 있다”고 회고했습니다. 이어 박진용 한국유통학회장과 문동준 한국석유화학협회장 등도 고인이 보여준 기업가 정신에 대한 경의를 표했습니다.

 

온라인 추모관에 피아니스트 강상수 씨가 추모 연주를 펼친 영상이 올라와 화제가 됐습니. 시각장애인인 강상수 씨는 지난 2013년 버클리 음대 시험에 합격했지만 입학할 학비를 마련하지 못해 어려움을 겪었는데 롯데장학재단 지원으로 3년간 공부를 마쳤습니다.

 

신격호 명예회장은 지난 1983년 사재를 출연해 롯데장학재단을 설립했습니다. 기초과학 전공자를 중점적으로 지원하는 특화된 장학 사업을 펼쳐왔는데 롯데장학재단은 지금까지 5만여 명에게 장학금을 지원했습니다.

 

1994년에는 외국인 근로자를 돕기 위해 롯데복지재단을 설립했습니다. 롯데복지재단은 산업재해 및 임금 체불 등으로 어려움에 부닥친 외국인 근로자에 대한 지원과 상담소 및 쉼터, 의료 혜택 제공 등 다양한 활동을 펼치고 있습니다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


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2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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