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코로나 신규 확진 389명…54일 만에 300명대

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Monday, January 18, 2021, 10:01:11

서울 132명-경기 105명-경남 22명-경북 18명-강원 16명-인천·대구 각 13명 등

 

인더뉴스 남궁경 기자ㅣ국내 코로나19 3차 대유행이 감소세에 접어든 가운데 18일 신규 확진자 수는 389명으로 집계됐습니다. 전날보다 대폭 감소하면서 이번 3차 대유행 초기 단계인 지난해 11월 25일(382명) 이후 54일 만에 300명대로 떨어졌습니다.

 

중앙방역대책본부(방대본)는 이날 0시 기준으로 코로나19 신규 확진자가 389명 늘어 누적 7만 2729명이라고 밝혔습니다. 이는 전날(520명)보다 131명 줄어든 수치입니다.

 

이날 신규 확진자의 감염경로를 보면 지역발생이 366명, 해외유입이 23명입니다. 확진자가 나온 지역을 보면 서울 128명, 경기 103명, 인천 13명 등 수도권이 244명입니다.

 

비수도권은 경남 20명, 경북 18명, 강원 14명, 대구 13명, 광주·충남 각 11명, 부산 9명, 충북 8명, 울산 5명, 전남 4명, 전북 3명, 대전·세종·제주 각 2명으로 총 122명입니다.

 

주요 감염 사례를 보면 경북 상주시 'BTJ열방센터'발(發) 확진자가 763명으로 불어났습니다. 광주 광산구 효정요양병원에서는 12명이 추가 확진돼 누적 149명이 됐고, 경남 진주시 기도원 사례 관련 누적 확진자는 102명으로 집계됐습니다.

 

이 밖에 경기 수원시 요양원(누적 23명), 성남시 과외교습실(10명) 등 신규 집단감염 사례도 잇따랐습니다.

 

해외유입 확진자는 23명으로, 전날(20명)보다 3명 늘었습니다. 이 가운데 10명은 공항이나 항만 입국 검역 과정에서 확인됐고 나머지 13명은 서울(4명), 경기·강원·경남(각 2명), 부산·울산·충북(각 1명) 지역 거주지나 임시생활시설에서 자가격리하던 중 양성 판정을 받았습니다.

 

이들의 유입 추정 국가는 미국 6명, 인도네시아 3명, 미얀마·아랍에미리트 각 2명, 필리핀·러시아·스리랑카·일본·캄보디아·프랑스·네덜란드·멕시코·에콰도르·수단이 각 1명이다. 확진자 가운데 내국인이 11명, 외국인이 12명입니다.

 

지역발생과 해외유입(검역 제외)을 합치면 서울 132명, 경기 105명, 인천 13명 등 수도권이 250명으로 전국 17개 시도에서 모두 확진자가 나왔습니다.

 

사망자는 전날보다 15명 늘어 누적 1264명이 됐으며, 국내 평균 치명률은 1.74%입니다.

 

위중증 환자는 전날보다 9명 줄어 총 343명입니다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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남궁경 기자 nkk@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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