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신한아이타스, AI 기반 선제적 펀드 리스크 관리에 대한 특허권 2종 획득

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Monday, January 18, 2021, 11:01:21

 

인더뉴스 김서정 기자ㅣ신한아이타스(사장 최병화)는 인공지능(AI) 기반의 선제적 펀드 리스크 관리에 관한 신규 2종의 특허권을 획득했다고 18일 밝혔다.

 

이번 특허권은 ‘인공지능 기술을 이용하여 펀드의 기준 가격 산출의 정합성 및 오류를 점검하는 방법 및 장치(출원번호 10-2020-0096108)’와 ‘펀드의 이관을 관리하는 방법 및 장치(출원번호 10-2020-0135512)’ 등 2종이다.

 

신한아이타스의 제 8호 특허권인 ‘인공지능 기술을 이용하여 펀드의 기준 가격 산출의 정합성을 점검하는 방법 및 장치’는펀드의 기준가격을 검증하는 부분에 대하여 펀드의 가격변동 군집을 구성하고, 머신러닝의 앙상블 기법을 적용하여 퇴근 후 펀드 기준가격의 적정성과 오류를 자동으로 검증한다.

 

이러한 Ai검증을 통해 실시간으로 기준가격을 점검하고 이상한 Data를 모니터링하는 방법이다. 해당 특허권으로 펀드의 기준가격 산출의 신뢰성을 높이고 펀드 기준가 오류 발생을 선제적으로 예방할 수 있다고 회사 측은 설명했다.

 

또한 제 9호 특허권의 명칭은 ‘펀드의 이관을 관리하는 방법 및 장치’다. 펀드를 이관하는 경우에 이관 요청을 수신하면 펀드이관 정보를 실시간으로 확인하여 타서버와 펀드이관 정보를 동기화하고 자동으로 연결하는 방법이다. 이를 통해 빈번하게 발생하는 펀드이관 절차를 자동으로 수행하여 Data의 무결성을 유지하고 맞춤 서비스 대응에 대한 신속성을 확보할 수 있다고 회사 측은 전했다.

 

한편 신한아이타스는 2년 전 최병화 사장 부임 이후에 고객만족과 내실경영을 최우선 기준으로 디지털 트랜스포메이션(DT)에 입각해 업무의 효율성을 높이고 다양한 디지털 기술력을 강화하기 위해 많은 노력을 기울였다.

 

그 결과 2019년 제 1호 특허권 취득 이후 벌써 9건의 특허권을 획득하는 결실을 맺었다. 이외에도 현재 17건의 특허가 심사 중이며, 베트남, 인도네시아 2개국에 4건의 특허를 신청 중이다.

 

신한아이타스의 특허권 사업과 DT신사업 추진을 총괄하는 김창수 본부장은 “지난해 발생한 코로나19 팬데믹에도 불구하고 ‘아이디어 경진대회’를 통한 임직원들의 적극적인 참여로 2 건의 특허권 취득과 17건의 특허출원을 진행할 수 있었다”고 말했다.

 

이어 “복잡성과 불확실성이 가중되는 시기에 특허로 무장한 디지털 기술력을 기반으로 리스크를 조기에 감지할 수 있는 역량을 높여 조직의 민첩성을 높이고 더 나아가 고품질의 차별화된 펀드 서비스를 통해 고객만족을 실현하는 ‘일류 펀드 플랫폼 사업자’로 도약하겠다”라고 강조했다.

 

한편 신한아이타스는 이로써 지난 2년간 총 9건의 특허권을 보유하게 됐으며 향후 신규 특허 발굴 및 기술력 강화와 같은 끊임 없는 DT(Digital Transformation)혁신을 통해 고객서비스 품질 고도화에 앞장선다는 계획이다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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김서정 기자 rlatjwjd42@daum.net


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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