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코로나 신규 확진 404명…전날보다 18명 증가

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Wednesday, January 20, 2021, 10:01:32

서울 143명-경기 139명-경남 19명-인천 16명-부산 13명-대구 12명 등

 

인더뉴스 남궁경 기자ㅣ국내 코로나19 첫 환자가 나온 지 꼭 1년째 되는 날인 20일 신규 확진자 수는 404명으로 집계됐습니다. 300명대 후반이었던 전날보다 다소 늘어나면서 400명대로 올라섰습니다.

 

중앙방역대책본부(방대본)는 이날 0시 기준으로 코로나19 신규 확진자가 404명 늘어 누적 7만 3518명이라고 밝혔습니다. 이는 전날(386명)보다 18명 늘어난 수치입니다.

 

이날 신규 확진자의 감염경로를 보면 지역발생이 373명, 해외유입이 31명입니다. 확진자가 나온 지역을 보면 서울 135명, 경기 126명, 인천 14명 등 수도권이 275명입니다.

 

비수도권은 경남 18명, 부산 12명, 대구·광주 각 11명, 강원·전남 각 9명, 경북·충남 각 7명, 제주 6명, 울산 3명, 전북·충북 각 2명, 대전 1명으로 총 98명입니다. 지난달 3일(97명) 이후 48일만에 두 자릿수로 떨어졌습니다.

 

주요 감염 사례를 보면 경북 상주시 'BTJ열방센터' 관련 확진자가 784명으로 늘었습니다. 서울 은평구 병원 3번 사례(누적 14명), 경기 성남시 모란종합시장(20명), 안양시 복지시설(10명), 수원시 복지시설(10명), 경북 포항시 은행(12명) 등 신규 집단감염 사례도 잇따랐습니다.

 

해외유입 확진자는 31명으로, 전날(35명)보다 4명 줄었습니다. 이 가운데 1명은 공항이나 항만 입국 검역 과정에서 확인됐고 나머지 30명은 경기(13명), 서울(8명), 인천·강원(각 2명), 부산·대구·충북·충남·경남(각 1명) 지역 거주지나 임시생활시설에서 자가격리하던 중 양성 판정을 받았습니다.

 

이들의 유입 추정 국가는 미국이 11명으로 가장 많고 이어 러시아·탄자니아 각 4명, 헝가리 3명, 독일 2명, 인도네시아·아랍에미리트·파키스탄·카자흐스탄·폴란드·가나·나이지리아 각 1명입니다. 확진자 가운데 내국인이 13명, 외국인이 18명입니다.

 

지역발생과 해외유입(검역 제외)을 합치면 서울 143명, 경기 139명, 인천 16명 등 수도권이 298명으로 세종을 제외한 전국 16개 시도에서 모두 확진자가 나왔습니다.

 

사망자는 전날보다 17명 늘어 누적 1300명이 됐으며, 평균 치명률은 1.77%입니다. 이달 초만 해도 1.4%대에 머물렀던 치명률은 최근 사망자 수 증가와 함께 꾸준히 상승하고 있습니다.

 

위중증 환자는 전날보다 12명 줄어 총 323명입니다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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남궁경 기자 nkk@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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