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인트론바이오, VRE 질환 치료제 카테터 투여 제형 확보

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Wednesday, January 20, 2021, 14:01:57

요로감염으로 적응증 확대 가능…다수의 엔도리신 신약개발 적용 기대

 

인더뉴스 김서정 기자ㅣ인트론바이오(대표 윤경원)은 반코마이신내성장알균을 포함한 장알균 감염치료제로 개발하고 있는 ‘EFL200’ 신약에 대해 카테터 투여 제형을 확보했다고 20일 밝혔다.

 

EFL200의 카테터 투여 제형은 카테터의 삽입으로 발생한 요로감염 치료를 주요 대상으로 개발됐다.

 

인트론바이오는 앞서 경구투여형 제형을 확보한 데 이어 이번에 개발한 카테터 투여 제형으로 인해 요로감염 치료는 물론 다양한 제형 개발의 가능성을 높이게 됐다.

 

회사에 따르면 요로감염은 소변 검체에서 1가지 이상의 균종이 105cfu/ml이상 검출되는 경우를 지칭하는데, 1주일 넘게 카테터를 삽입하고 있는 환자 대부분에서 발생하기 때문에 장기 입원 환자에서 발생되는 가장 흔한 감염증 중의 하나다.

 

미국에서는 전체 감염 중 약 40%에 육박하며 전체 요로감염 중 카테터 연관 요로감염이 차지하는 비율이 80%에 달하는 것으로 알려져 있다.

 

카테터 연관 요로감염(Catheter-associated UTI) 치료는 새로운 카테터 교체와 함께 항생제를 처방하는 것이 일반적이다. 또한 높은 요중 농도를 유지해야만 치료효과를 볼 수 있다.

 

그러나 기존 항생제는 소변으로 다량 배출되는 문제점이 있어 실제 임상에서는 치료효과가 낮고, 세균증식과 세포 외 기질성분으로 인한 바이오필름 형성으로 만성질환화 되는 경향이 있으며, 항생제 내성 문제도 심각하게 발생되고 있다.

 

이에 인트론바이오는 EFL200 적용성을 확대하기 위해 카테터로 투여가 가능한 액상 제형을 이번에 개발하게 됐다.

 

이 제형은 소변을 통한 VRE 감염과 바이오필름 형태의 감염 처치에서 모두 치료효과를 보인 것으로 확인했다고 회사 측은 밝혔다.

 

인트론바이오 전수연 생명공학연구소 센터장은 “이번에 개발된 카테터 투여 제형은 향후 다수의 엔도리신 개발에도 확대 적용될 수 있으며, 현재 개발 중인 그람음성균 감염 치료제(GN200)의 개발에도 활용될 것”이라고 설명했다.

 

윤경원 인트론바이오 대표는 “엔도리신의 적응 증 확장은 혁신신약(First-in-Class) 신약개발에 있어서 매우 중요한 방향 중 하나로 다양한 제형의 개발이 확장성을 더욱 강화시킨다”라며 “SAL200의 주사 제형과 프리미엄 외용제(Premium Topical Medication) 제형, 그리고 세계 최초의 경구투여 제형은 물론, 이번 카테터 투여 제형의 개발로 엔도리신의 적응증은 앞으로 더욱 확대될 것”이라고 강조했다.

 

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김서정 기자 rlatjwjd42@daum.net


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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