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SK하이닉스, 영업익 89% 감소...“생산·투자 재조정”

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Thursday, July 25, 2019, 10:07:18

매출액 6조 4522억 원, 영업이익 6376억 원 기록
M10 D램 캐파 조정·낸드 투입량 15% 감소 전망

인더뉴스 이진솔 기자ㅣSK하이닉스가 지난해와 비교해 영업이익이 89% 감소했다. 대외 불확실성 증가로 시장 환경이 녹록지 않자 생산량과 투자 조정을 결정했다는 게 회사의 설명이다.

 

SK하이닉스는 올해 2분기에 매출액 6조 4522억 원, 영업이익 6376억 원, 순이익 5370억 원을 기록했다고 25일 밝혔다. 수요 회복이 기대에 미치지 못 하고 가격 하락 폭도 예상보다 커지면서 매출과 영업이익은 전분기보다 각각 5%, 53% 감소했다. 지난해 2분기와 비교하면 매출은 38%, 영업이익은 89% 감소했다.

 

D램은 수요 증가 폭이 상대적으로 큰 모바일과 PC 시장에 대응해 출하량은 전분기보다 13% 늘었으나, 가격 약세가 이어져 평균판매가격은 24% 하락했다. 낸드플래시도 가격 하락에 따른 수요 회복세로 출하량은 같은 기간 40% 증가했으나, 평균판매가격은 25% 하락했다.

 

 

SK하이닉스는 서버용 D램 수요가 여전히 부진하고, 미·중 무역 분쟁 영향으로 모바일 D램 시장의 불확실성이 커졌다고 분석했다. 다만, PC와 그래픽 D램 수요는 지난 분기 말부터 회복하기 시작했으며, 하반기에도 이 추세가 지속할 것으로 기대했다.

 

낸드플래시 시장은 가격이 꾸준히 하락하면서 수요가 회복되고 있다고 설명했다. 하반기에는 공급 업체들의 재고 부담이 빠르게 줄어들며 수급 불균형도 해소될 가능성이 커져 가격 하락 속도가 둔화할 것이라고 덧붙였다.

 

SK하이닉스는 생산과 투자를 조정할 계획이다. D램은 생산 캐파(CAPA)를 4분기부터 줄인다. 최근 성장세에 있는 CIS(CMOS 이미지 센서) 사업 경쟁력을 강화하는 차원에서 하반기부터 이천 M10 공장 D램 캐파 일부를 CIS 양산용으로 전환한다.

 

여기에 D램 미세공정 전환에 따른 캐파 감소 영향이 더해져 내년까지 D램 캐파는 지속 줄어들 전망이다. SK하이닉스는 지난해보다 10% 이상 줄이겠다고 밝힌 낸드플래시 웨이퍼 투입량도 15% 이상으로 줄일 것이라고 예상했다.

 

아울러 청주 M15 공장 추가 클린룸(Cleanroom) 확보와 내년 하반기 준공 예정인 이천 M16 공장 장비반입 시기도 수요 상황을 고려하며 재검토할 계획이다. 이에 따라 내년 투자금액도 올해보다 상당히 줄어들 것으로 예상된다.

 

한편, SK하이닉스는 차세대 미세공정 기술 개발과 고용량, 고부가가치 중심의 제품 판매를 이어간다는 방침이다. D램은 10나노급 1세대(1X) 및 2세대(1Y) 생산 비중을 연말 80%까지 높이고, 10나노급 2세대 공정을 적용한 제품은 하반기부터 컴퓨팅용 위주로 판매를 시작한다.

 

낸드플래시는 72단 중심으로 운영하되 하반기부터 96단 4D 낸드 비중을 늘려 고사양 스마트폰과 SSD 시장을 중점적으로 공략한다는 계획이다. 또한 128단 1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드도 양산과 판매 준비를 차질 없이 추진할 예정이다.

 

SK하이닉스 관계자는 “시장환경 변화에 맞춰 생산과 투자를 유연하게 조정하고, 메모리 중장기 성장에 대비해 제품과 기술 경쟁력을 지속해서 강화해나갈 것”이라고 말했다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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