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[경제 리포트] 베트남 증시 ‘패닉셀링’…빚투의 명(明)과 암(暗)

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Sunday, January 24, 2021, 06:01:00

지난 19일 베트남 VN지수 5.11% 급락 마감
급락 배경으로 ‘개인 투자자의 현금화’ 지목
“조정 가능성 민감도↑..패닉셀링으로 이어져”

 

인더뉴스 유은실 기자ㅣ코로나 이후 세계 주식시장은 급등락을 반복하다 각국의 적극적인 정책지원에 힘입어 고공행진을 이어오고 있습니다. 베트남 VN지수도 지난해 4월 이후 투자자금이 유입되면서 가파른 상승세를 이어오고 있는데요.

 

지난 19일(현지시각) 베트남 주가가 이례적으로 급락했습니다. 18일은 전일과 비교해 0.19%, 19일에는 5.11%나 떨어졌습니다. 이날만 61포인트가 하락했는데 사상 최대치입니다. 이러한 ‘베트남 주가 급락 배경’에 대해 ‘빚투’가 지목되고 있습니다.

 

국제금융센터는 ‘베트남 주가 급락의 배경과 평가’ 보고서에서 시장에서는 베트남 증시 급락배경에 대해 “전일 지수가 소폭 하락하면서 대출을 이용한 개인 투자자들의 차익실현 거래가 확대됐기 때문”이라고 분석했습니다.

 

베트남 주가는 올해도 매우 강한 랠리를 보였는데, 이를 지지하던 투자자들이 주로 주식매매를 위해 대출을 받은 개인 투자자여서 조정이 불가피했다는 겁니다. 베트남 증권위원회 시장개발국 국장도 VN지수가 급락한 주된 요인으로 ‘개인 투자자들의 현금화’를 지적했습니다.

 

국제금융센터 관계자는 “현재 전 세계의 총부채 규모가 사상 최고치를 기록하고 있다”며 “베트남의 경우 코로나19 대응을 비교적 잘한 나라로 평가되지만, 코로나 이전과 비교했을 때 부채 자체가 많이 늘어났다”고 설명했습니다.

 

베트남도 전 세계적인 흐름인 ‘빚투’와 이와 관련된 ‘리스크’를 피해갈 수 없다는 겁니다. 투자자들은 자금을 유입하면서도 증시 조정 가능성에 매우 민감한 상태입니다.

 

KB증권은 베트남 증시 폭락 배경으로 거래소 시스템 과부하를 꼽았습니다. 오전 10시 이후 차익실현 매물이 쌓이면서 주문을 소화하지 못한 호찌민 거래소 시스템에 과부화가 걸렸고, 한동안 거래가 멈춰 패닉셀링(공포에 의한 투매)이 일어났다는 겁니다.

 

이창민 KB증권 연구원은 “베트남 증시는 언제 올지 모르는 조정 가능성에 매우 민감한 시기”라며 “오전 장에서 발생한 시스템 마비가 패닉셀링을 일으킬 수 있는 핵심 조건을 충족시켰다”고 말했습니다.

 

주요 기관들은 이번 사태를 두고 베트남 시장의 불확실성에 유의해야 한다고 지적합니다. 이번 급락이 베트남 경제의 견고한 펀더멘탈이나 장기적 전망을 반영한 것은 아니지만 그간 증시가 보여준 가파른 상승세는 경계해야 한다는 평가입니다.

 

신흥국에서도 빚투 등 새로운 리스크가 발생할 가능성이 상존한다는 설명입니다. 향후 국내 경제와 관련이 깊은 주요 신흥국 중심으로 모니터링 필요하다는 목소리도 나오고 있습니다.

 

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유은실 기자 yes24@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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