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이재용 부회장, 임직원에 첫 옥중 메시지 “무척 송구, 삼성은 가야할 길을 계속 가야”

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Tuesday, January 26, 2021, 12:01:52

지난 21일 이어 두번째 옥중 메시지..“흔들림없는 한마음 되어달라” 당부

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ국정농단 사건으로 실형을 선고 받고 구속 수감된 이재용 삼성전자 부회장이 임직원에 첫 옥중 메시지를 보냈습니다.

 

26일 이 부회장은 사내 게시판을 통해 “제가 처한 상황과는 관계없이 삼성은 가야 할 길을 계속 가야 한다”며 임직원들을 향한 첫 당부의 말을 남겼습니다.

 

앞서 이 부회장은 구속 사흘 만에 변호인을 통해 첫 입장을 내놓은 이후 두번째 옥중서신인데요. 당시 이 부회장은 “앞으로도 준법감시위원회의 활동을 계속 지원할 것이며 계속 본연의 역할을 다해달라”고 말한 바 있습니다.

 

이 부회장의 메시지는 삼성전자의 대표이사 3인인 김기남 부회장과 김현석·고동진 사장이 사내 내부망에 “저희는 지금 참담한 심정과 비상한 각오로 이재용 부회장의 메시지를 대신 전합니다”라며 올린 글을 통해 공개됐습니다.

 

이 부회장은 메시지에서 “삼성 가족 여러분, 저의 부족함 때문에 다시 걱정을 끼쳐드리게 되었다”면서 “너무 송구하고 너무 큰 짐을 안겨드린 것 같아 정말 죄송한 마음”이라고 착잡한 심경을 밝혔습니다.

 

이 부회장은 “지난 수년간 삼성은 안팎으로 많은 어려운 사정들이 있었다”며 “하지만 여러분께서는 묵묵히 일하며 삼성을 굳건히 지켜주셨듯이, 앞으로도 흔들림 없이 한마음이 되어 주시길 부탁드린다”고 말했습니다.

 

이어 “제가 처한 상황과 관계없이 삼성은 가야 할 길을 계속 가야 한다”며 “이미 국민들께 드린 약속들은 반드시 지켜야 한다”고 했습니다.

 

그러면서 “투자와 고용 창출이라는 기업의 본분에도 충실해야 하며, 나아가 사회적 책임을 다하는 삼성으로 거듭나야 한다”고 강조했습니다.

 

삼성전자는 현재 미국 오스틴 공장 증설, 평택 P3 공장 등 반도체 관련 대규모 투자 결정을 앞두고 있습니다. 이 부회장은 이러한 당부와 함께 “저는 더욱 자숙하면서 겸허하게 스스로를 성찰하겠다”고 반성했습니다.

 

그러면서 “지금 시간이 결코 헛되지 않도록 하겠다. 여러분과 함께 꼭 새로운 삼성을 만들도록 하겠다”고 마무리했습니다.

 

이 부회장은 지난 18일 국정농단 파기환송심에서 징역 2년6개월의 실형을 선고받고 서울구치소에 재수감됐습니다.

 

재상고 시한 마지막 날인 지난 25일 이 부회장측과 박영수 특별검사팀 모두 재상고를 하지 않기로 하면서 이 부회장에게는 징역 2년6개월 형이 확정됐습니다. 이 부회장은 중간에 특별사면이나 가석방 등이 없을 경우 내년 7월에 만기 출소하게 됩니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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