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김남승 삼성전자 전무, 세계 3대 컴퓨터학회 ‘명예의 전당’ 헌액

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Monday, July 29, 2019, 14:07:39

삼성전자 뉴스룸, 50년간 전세계 20명 헌액..작년 5월 입사 ‘차세대 메모리’ 개발

 

삼성전자 현직 임원이 세계 3대 컴퓨터학회의 ‘명예의 전당’에 이름을 올렸다.

 

29일 삼성전자 뉴스룸에 따르면 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 메모리사업부의 김남승 전무가 ‘국제컴퓨터구조심포지엄(ISCA·International Symposium on Computer Architecture)’의 명예의 전당에 헌액됐다.

 

김 전무는 한국과학기술원(KAIST) 출신으로 미국 일리노이대 컴퓨터공학과 교수로 재직하다 지난해 5월 삼성전자에 영입됐다.

 

앞서 김 전무는 2015년 국제고성능컴퓨터구조심포지엄(HPCA·International Symposium on High Performance Computer Architecture)과 2016년 국제마이크로아키텍처심포지엄(MICRO·International Symposium on Microarchitecture)로부터도 명예의 전당 헌액자로 선정된 바 있다.

 

이들 3곳은 ‘세계 3대 컴퓨터 구조 학회’로 꼽히며, 학회마다 최소 8개 이상의 논문을 등재한 인물 가운데 기술 우수성과 영향력이 뛰어난 논문을 집필한 연구자를 명예의 전당에 올린다.

 

ISCA 등 3개 학회의 명예의 전당에 모두 이름을 올린 인물은 지난 50년간 전세계에서도 20여명에 불과하고, 국내에서는 김 전무가 처음이다.

 

김 전무는 2016년 한국인으로서는 처음으로 전자공학 분야의 세계 최대 학술단체인 국제전기전자공학회(IEEE)의 컴퓨터 구조 분야 펠로우로 선임됐다.

 

또 지난 2017년에는 미국컴퓨터학회(ACM)와 IEEE가 공동 주관하는 국제 학술행사에서 ‘올해의 가장 영향력 있는 논문상(2017 The Most Influential Paper)’을 받기도 했다.

 

김 전무는 지난해 삼성전자 입사 후 인공지능(AI) 분야에서 응용할 수 있는 차세대 메모리 반도체 연구 등을 진행하고 있다.

 

그는 “1997년 삼성전자 지원으로 나섰던 미국 서부지역 해외연수에서 인생의 시각을 180도 바꾸게 됐다”면서 “이후 미국 유학 과정에서 훌륭한 연구자들과 의미 있는 공동 연구를 실행한 덕에 여기까지 올 수 있었다”고 말했다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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