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금융회사 CEO, 사외이사 추천 못 한다

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Thursday, March 15, 2018, 10:03:01

금융위, ‘금융회사 지배구조 개선방안’ 발표..주주제안권 요건 완화·대주주 적격성 심사대상 확대 등

[인더뉴스 정재혁 기자] 금융회사 CEO의 사외이사·감사위원 후보추천위원회 참여가 금지되고, 주주제안권 행사 요건을 완화해 CEO 선출 의사결정에 소수주주의 적극적 참여를 유도한다. 대주주 적격성 심사대상도 확대돼, 경영권을 실제 행사하는 자를 심사할 수 있도록 개선된다.

 

금융위원회(위원장 최종구)는 15일 오전 서울 정부청사에서 ‘금융회사 지배구조 개선방안 간담회’를 열고 ‘금융회사 지배구조 개선방안’을 발표했다. 이날 간담회에는 최종구 금융위원장을 비롯해 각 금융권 협회장들이 참석했다. 

 

간담회를 주재한 최종구 위원장은 모두발언을 통해 “투명하고 공정한 지배구조는 금융산업에 대한 국민의 신뢰를 확보하기 위한 필수조건”이라며 “부실경영이나 불건전 영업의 파급효과가 경제 전체의 시스템 리스크로 확산될 수 있어, 금융회사 지배구조는 일반기업에 비해 엄격히 통제되는 것이 국제 규범”이라고 말했다.

 

이번 개선방안은 크게 경영 지배구조 측면과 소유 지배구조 측면으로 나뉜다. 경영 지배구조 측면에서는 CEO 및 이사 선출과정의 공정성과 투명성이 부족한 문제가 개선되고, 소유 지배구조 측면에서는 대주주 적격성 심사대상이 확대돼 제도의 실효성이 제고된다.

 

먼저, 금융회사 CEO 선임 투명성 제고를 위해 CEO의 사외이사후보추천위원회(사추위)와 감사위원후보추천위원회(감추위) 참여를 금지한다. 또한, 임원후보추천위원회(임추위)의 3분의 2 이상(현행 과반수 이상)을 사외이사로 구성토록 의무화해 임추위의 독립성을 강화한다.

 

사외이사의 책임성 강화 차원에서 사외이사 연임 때 외부평가를 의무화하는 방안도 추진된다. 사외이사 후보군 선정 때 다양한 이해관계자 및 외부전문가가 추천한 인재 풀(Pool)을 반영할 수 있도록 자체기준 마련을 의무화하며, 사외이사 업무수행 연속성 보장을 위해 순차적 교체를 원칙화한다.

 

CEO 선출 과정에서 소수주주의 참여를 유도하기 위해 주주제안권 행사요건이 완화된다. 현행 ‘의결권 0.1% 이상’을 ‘의결권 0.1% 이상 또는 보유주식 액면가 1억원 이상’으로 변경한다.

 

소유 지배구조 개선 측면에서는 대주주 적격성 심사대상을 확대한다. 현행 심사대상은 최대주주 중 최대출자자 1인인데, 이를 최대주주 전체와 사실상 영향력을 행사하는 주요주주로 확대한다. 

 

예를 들어, 삼성생명의 경우 현행 제도로는 최대주주 중 최대출자자 1인에 해당되는 이건희 회장만 심사대상이지만, 바뀐 제도에선 이재용 부회장도 최대주주로 심사를 받게 된다. 작년 9월 기준 삼성생명의 최대주주는 이건희 회장(20.76%)이고, 이 회장의 특수관계인은 이재용 부회장(0.06%), 삼성물산(19.34%), 삼성문화재단(4.68%) 등이다.

 

심사요건도 강화돼, 대주주 적격성 심사 요건에 ‘특정경제범죄가중처벌법 위반으로 금고형 이상을 받은 경우’를 추가한다. 이밖에 최대주주 중 어느 1인만 결격사유인 경우 해당 최대주주의 보유의결권 중 10% 초과분을 제한하고, 법인의 경우에는 ‘벌금 1억원 이상’을 받았을 때 의결권 제한명령이 가능하도록 설정한다. 

 

금융위는 이번 개선방안 추진을 위해 금융회사지배구조법 및 시행령, 감독규정 개정안 등을 내달 24일까지 입법예고한다. 이 법안은 규제개혁위원회와 법체저 심사를 거쳐 올 상반기 중 국회에 제출된다. 시행령과 감독규정 개정 완료 시기는 오는 3분기 중으로 예상된다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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