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KB금융 주총 마무리..‘노조 추천 사외이사 선임’ 무산

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Friday, March 23, 2018, 21:03:04

찬성률 4.23%에 그쳐..낙하산 방지·사추위 사외이사로만 구성 등 정관 변경안도 부결

[인더뉴스 정재혁 기자] KB금융그룹 정기 주주총회에 상정된 KB금융 노조의 ‘주주제안’ 안건 3건이 모두 부결됐다. 특히, 사외이사 추천 안건은 작년 말 임시 주총에 이은 두 번째 도전이었지만, 4%대의 저조한 찬성률을 기록하면서 공식 부결됐다. 

 

KB금융(회장 윤종규)은 23일 오전 서울 여의도 KB국민은행 본점 4층 대강당에서 정기 주주총회를 개최했다. 이날 정기 주총에서는 노조 측 주주제안 안건 3건을 비롯해 사측의 신규 사외이사 선임 안건 등이 상정됐다.

 

노조 측이 제안한 안건은 ‘낙하산 인사 방지’, ‘사외이사후보추천위원회(사추위)를 사외이사로만 구성’ 정관 변경 2건과, ‘권순원 숙명여대 교수 사외이사 후보 추천’ 안건 1건 등 총 3건이다. 세 안건 모두 통과 기준을 만족하지 못 해 부결됐다.

 

우선, 권 교수를 사외이사로 추천하는 노조 측 제안은 찬성률 4.23%에 그쳤다. 의결권이 있는 주식 3억 1719만 3195주가 참여해 출석률은 79.43%였다. 사외이사 선임은 발행주식 총 수의 4분의 1 이상 출석하고, 그 중 과반수가 찬성해야 통과된다.

 

낙하산 인사 방지(공직 또는 정당에서 활동한 기간이 2년 이상인 자를 최종 퇴직일로부터 3년 동안 이사로 선임 금지), 사추위를 사외이사로만 구성하는 등의 정관 변경안도 각각 4.29%, 31.11% 찬성에 머물렀다. 정관 변경은 특별 의결 조건이 적용돼, 발행주식 총 수의 3분의 2 이상 출석, 그 중 3분의 2 이상 찬성해야 한다.

 

이밖에 선우석호 서울대학교 교수, 최명희 내부통제평가원 부원장, 정구환 변호사 등 3인은 만장일치에 가까운 찬성률을 기록해 임기 2년의 신임 사외이사로 선임됐다. 유석렬, 박재하, 한종수 등 3인의 기존 사임이사도연임됐다. 

 

이번 KB금융 정기 주총은 작년 11월 임시 주총에 비해 차분한 분위기 속에서 마무리됐다. 다만, 노조 측은 투표 결과를 담담히 받아들이면서도 윤종규 회장과 이사회에 대한 비판의 목소리는 거두지 않았다. 

 

박홍배 노조 위원장은 안건 결의에 앞선 발언에서 “아시는 바와 같이 KB금융은 최근 지배구조 문제, 셀프연임, 채용비리, 고용차별 등으로 굉장히 시끄러운 상황”이라며 “윤종규 회장과 이사회는 이런 문제들과 관련해 책임을 지고 전원 사퇴할 것을 요구한다”고 말했다.

 

또한, 노조 측은 최대주주인 국민연금이 이번 노조의 주주제안에 대해 모두 반대한 것과 관련해 의혹을 제기했다. 이사회 측에서 국민연금에 명확한 정보를 전달하지 못한 것 아니냐는 것이다.

 

주총에 참여한 노조 관계자는 “국민연금이 권순원 교수 선임을 반대한 것은 이번에 임기 만료인 이병남 이사(인사 관련 전문가)와 중복된다는 게 주된 이유였다”며 “국민연금 의결권전문위원회가 의결권을 행사하는 과정에 부정확한 정보를 바탕으로 했다는 것은 매우 유감”이라고 말했다. 

 

이어 “작년 말 노조가 하승수 변호사를 사외이사 후보로 추천했을 때 이사회에서 검증했고 국민연금에 결격사유가 없다고 전달한 것으로 안다”며 “이번에는 이사회에서 반대를 하면서 권 교수에 대해 평가를 안한 것으로 보여 문제가 있다”고 주장했다.

 

한편, 회의를 진행한 윤종규 회장은 채용비리 문제와 관련해 공식 사과했다. 윤 회장은 “지난 3년간 지역별 우선채용, 블라인드면접 등을 선구적으로 도입하는 등 노력했음에도 논란에 휘말려 송구스럽다”며 “다만, 현재 조사가 진행 중이기 때문에 따로 드릴 말씀은 없다”고 말했다.

 

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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