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작년 은행 해외점포 순익 8억달러..전년比 24% 증가

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Tuesday, March 27, 2018, 12:03:00

금감원, 작년 은행 해외점포 실적·현지화지표 평가 결과 발표
해외점포 수 185개로 7개 증가..작년 하반기 현지화지표 ‘2-’

[인더뉴스 정재혁 기자] 지난해 국내은행 해외점포의 당기순이익이 8억 700만달러로 집계됐다. 전년에 비해 23.9% 증가한 것으로, 이는 작년 국내은행 총 당기순이익의 7.7% 수준이다.

 

금융감독원은 ‘2017년 국내은행 해외점포 영업실적 및 현지화지표 평가 결과’를 27일 발표했다. 작년 해외점포 당기순이익은 8억 700만달러였고, 작년 하반기 현지화지표 평가는 ‘2-’ 등급으로 작년 상반기와 동일했다.

 

작년 국내은행 해외점포의 당기순이익은 8억 700만달러로 전년(6억 5100만달러)보다 1억 5600만달러(23.9%)나 증가했다. 지난해 국내은행 총 당기순이익(11조 2000억원)의 7.7%다.  

 

지난해 해외점포 순익이 급증한 배경에는 자산증가 등으로 인한 이자이익 증가와 대손비용 감소 등이 있다. 이자이익이 2억 2800만달러 상승한 반면, 대손비용은 2억 9700만달러 감소해 이익 규모를 늘렸다. 한편, 비이자이익은 2억 2700만달러 감소했다.

 

 

지역별로는 홍콩(1억 2400만달러), 중국(1억 1100만달러), 인도네시아(1억 100만달러), 일본(9200만달러) 순으로 순익 규모가 컸다. 증가폭은 중국(8800만달러 증가), 일본(2800만달러), 인도네시아(2600만달러) 순이었다.

 

작년말 기준 해외점포 총자산은 1048억 8000억달러로 전년말(958억 4000만달러) 대비 9.4%(90억 4000억달러) 증가했다. 이는 국내은행 총자산의 4.8%를 차지한다. 지역별로는 중국(263억 9000만달러), 홍콩(138억 5000만달러), 미국(135억 2000만달러) 순이다.

 

자산건전성 지표인 ‘고정이하여신비율’은 0.9%로 전년말 대비 0.2% 하락했다. 고정이하여신비율이란 은행의 총여신 중 회수에 문제가 생긴 여신 보유 수준을 나타내는 지표다. 참고로, 국내은행 전체 고정이하여신비율(잠정)은 1.18%다.

 

작년말 현재 국내은행의 해외점포는 185개(39개국)로 전년말 대비 7개 증가했다. 국가별로는 베트남(19개), 중국(16개), 인도(15개), 미얀마(13개), 홍콩(12개), 일본·인도네시아(8개) 등 아시아지역이 129개로 전체 69.7%를 차지했다. 이밖에 유럽 22개(11.9%), 북미 21개(11.4%) 등이었다. 

 

한편, 현지화지표 평가 결과는 변동이 없었다. 국내은행의 현지화지표는 해외점포 현지화 수준(50%)과 본점의 국제화 수준(50%)을 각각 평가한 후 종합등급을 산출한다. 

 

작년 하반기 국내은행 해외점포 현지화지표 종합평가 등급은 ‘2-’등급으로 작년 상반기와 동일했다. 해외점포 현지화 등급은 2+로 상반기와 동일했으며, 본점 국제화 등급 또한 3등급으로 동일했다.

 

지역별로는 인도네시아 소재 현지점포의 해외점포 현지화 등급이 1등급으로 가장 높았다. 그 다음으로 일본(1-), 미국(2+), 중국·베트남(2-) 순이었다. 점포 형태별로는 현지법인의 현지화 등급이 1-등급으로 해외지점(3-)보다 높았다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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