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금감원, ‘2013년도 하나은행 채용비리’ 32건 포착

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Monday, April 02, 2018, 14:04:40

최흥식 전 금감원장 비롯 김정태 회장·함영주 행장 등 연루..남녀차별 및 대학차별 정황 有

[인더뉴스 정재혁 기자] 금융감독원이 KEB하나은행의 2013년도 신입 채용 과정을 조사해 총 32건의 채용비리 정황을 찾아냈다. 최흥식 전 금감원장의 채용비리 연루 의혹은 사실로 밝혀졌고, 김정태 하나금융 회장과 함영주 하나은행장, 김종준 전 하나은행장의 채용비리 정황도 포착됐다. 

 

또한, 채용과정에서 인사 청탁은 물론 성차별과 학교차별 등도 조직적으로 행해졌던 것으로 드러났다. 금감원은 채용비리 정황 및 남녀고용평등법 위반 소지에 대해 확보된 증거자료를 검찰에 제공하고, 수사에 적극 협조할 계획이다.

 

금감원(원장 김기식)은 지난달 13일부터 약 2주간 진행된 ‘2013년 하나은행 채용비리’ 검사 결과, 총 32건의 채용비리 정황을 확인했다고 2일 밝혔다. 채용 청탁에 따른 특혜채용 16건, 특정 대학 출신 합격 조작 14건, 남성 특혜 합격 2건 등이다.

 

금감원은 최흥식 전 원장이 2013년 하나금융지주 재직 당시 채용비리에 연루됐다는 의혹이 제기되자, 사실 규명을 위해 특별검사단을 설치하고 하나은행에 대한 현장검사를 진행한 바 있다. 이 과정에서 최 전 원장은 관련 의혹에 대한 책임을 지고 자진 사퇴했다.

 

먼저, 추천에 따른 특혜채용은 16명인 것으로 나타났다. 추천자 또는 추천내용이 있는 지원자 105명 중 22명이 최종합격했는데, 16명을 제외한 6명은 추천과 관계없이 합격권이었다.

 

이러한 추천자에는 최 전 원장뿐만 아니라 김정태 회장, 함영주 행장, 김종준 전 행장 등도 연루돼 있는 것으로 드러났다. 추천내용에 ‘최흥식부사장 추천’으로 표기된 지원자는 서류전형 점수(418점)가 합격기준(419점)에 1점 미달했지만, 서류전형을 통과해 최종 합격했다.

 

또한, 추천자 ‘김◯◯(회)’로 기재된 지원자는 서류전형 및 실무면접 점수가 합격기준에 크게 미달했고, 합숙면접에서 태도불량 등으로 0점 처리됐지만 최종 합격했다. 김◯◯은 2013년 당시 하나금융지주의 인사전략팀장으로 재직 중이었으며, 김정태 회장의 청탁이 있었던 것으로 금감원은 추정하고 있다.

 

추천자 ‘짱’으로 표시된 지원자(6명) 중에서는 4명이 합격했는데, 이 ‘짱’은 2013년 당시 하나은행장인 김종준 전 행장을 지칭한다. ‘함□□대표님’으로 표기된 지원자도 낮은 합숙면접 점수로 합격했으며, 해당 추천자는 당시 하나은행 충청사업본부 대표(부행장)였던 함영주 행장이다.

 

이밖에 추천내용에 ‘국회정무실’로 표기된 지원자는 실무면접 점수가 합격기준을 미달했지만 합숙면접에 올라 최종 합격했다. ‘청와대 감사관 조카’로 표기된 지원자도 서류전형과 임원면접 등에서 점수가 낮았지만 합격했다. 한편, 추천내용에 ‘금감원’으로 표기된 지원자 2명은 서류 및 실무면접에서 특혜를 받았지만 최종 탈락했다.


추가로 하나은행은 최종면접에서 남성 2명을 합격시키기 위해 합격권 내 여성 2명을 탈락시켰다. 특히, 동일 직무에 대해 남녀 채용인원을 달리 정하는 등 남녀 차등채용을 서류전형 단계부터 추진했다. 

 

금감원 조사에 따르면 2013년 하반기의 경우 사전에 남녀 4:1 비율로 차등해 채용하기로 한 정황이 나타났으며, 실제 채용된 남녀비율은 5.5:1로 더 차등적이었다. 이에 따라 여성 커트라인이 남성에 비해 월등하게 높게 나타났다는 게 금감원 측의 설명이다.

 

대학 차별도 존재해, 특정대학 출신을 합격시키기 위한 면접순위 조작이 자행됐다. 합숙 및 임원 면접단계에서 명문대 지원자를 중심으로 원점수 기준 불합격권 12명을 합격 처리한 것. 이러한 조작은 채용 각 단계별 사정회의(인사부장, 팀장, 실무책임자 등이 참여하는 비공식 회의)에서 결정된 것으로 금감원은 보고 있다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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