검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Zoom in 줌인 Bank 은행

작년 외은지점 순익 6807억..전년比 10.6% 감소

URL복사

Wednesday, April 04, 2018, 12:04:00

금감원, 지난해 외은지점 영업실적 발표..이자이익·트레이딩이익 감소 원인

[인더뉴스 정재혁 기자] 국내에 들어와 영업 중인 외국은행 지점들이 지난해에 6800억원을 벌었다. 전년에 비해 약 800억원 감소한 것으로, 이자이익 및 트레이딩이익 감소가 주요인이다.

 

금융감독원(원장 김기식)이 4일 발표한 ‘2017년 외국은행 국내지점(외은지점) 영업실적’에 따르면, 외은지점의 작년 당기순이익은 6807억원으로 전년(7615억원) 대비 808억원(10.6%) 감소했다.

 

이러한 감소세는 이자이익과 트레이딩이익(유가증권이익) 감소 때문인 것으로 풀이된다. 이자이익의 경우 지난해 1조 619억원으로 전년(1조 1202억원) 보다 583억원(5.2%) 줄었다. 국내 이자이익이 감소했고, 본지점손실(본지점 자금대여 수익-자금차입 비용)이 확대됐다.

 

유가증권이익도 2016년에 손실 전환(-712억원)한 데 이어 지난해에는 손실 규모가 대폭 확대돼 2277억원을 손해봤다. 전년 대비 손실이 1565억원 증가했는데, 금리 상승으로 인한 유가증권 매매 및 평가손실이 커졌기 때문이다.

 

하지만, 외환·파생이익은 8529억원을 기록해 전년(7424억원)에 비해 1105억원 증가했다. 환율 하락으로 현물환(달러매도)에서 1조 5688억원의 이익을 거뒀는데, 선물환(달러매수) 등 파생상품에서 7159억원의 손실이 발생했다.

 

작년말 기준 외은지점의 총 자산은 260조 5000억원으로 전년(264조 3000억원) 대비 3조 8000억원(1.4%) 감소했다. 부채가 243조 3000억원이고 자기자본은 17조 2000억원이다. 파생상품자산이 감소(18조 5000억원, 31.2%)한 반면, 대출채권은 증가(7조 4000억원, 10.1%) 증가하는 등 영업부문별 차이가 있었다.

 

금감원 관계자는 “향후 미국의 점진적인 금리인상 등 대내외 금융시장의 변동성이 커질 가능성에 대비할 것”이라며 “외은지점의 자금조달·운용의 취약부문, 이익구조 변동요인 등에 대한 모니터링 및 상시감시를 강화할 예정”이라고 말했다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너