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日 필립모리스 “아이코스 간접 노출해도 부정적 영향 없어”

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Tuesday, April 24, 2018, 18:04:16

아이코스 사실상 무해..일상에서 아이코스 간접 노출해도 니코틴·발암물질 증가하지 않는다

[인더뉴스 박광우 기자] 필립모리스 재팬은 아이코스에 간접 노출이 돼도 니코틴 등에 대한 부정적인 영향이 없다는 연구 결과를 발표했다.

 

필립모리스 재팬은 아이코스에 간접적으로 노출될 경우 주변인에게 니코틴 및 담배특이니트로사민(TNSA)에 대한 부정적 영향을 미치지 않는다고 24일 밝혔다.

 

이번 연구는 지난 2017년 11월 30일부터 2주 간 일본 도쿄의 한 식당에서 비흡연자, 성인 흡연자, 아이코스 사용자 등 총 397명을 대상으로 진행됐다. 해당 식당 환경에서 아이코스 증기에 노출되기 전후로 참여자들의 소변 샘플을 모아 아이코스 증기에 대한 간접 노출 수준을 평가했다.

 

이번 연구를 수행한 오키 다카오 일본 지케이 의학대학의 외과 과장이자 혈관외과 과장 교수는 “이번 연구는 아이코스 증기가 사람들이 일상에서 아이코스에 간접적으로 노출될 때 부정적인 영향이 있는지 여부에 대한 중요한 통찰력을 제공한다”며 “해당 결과는 아이코스의 공중보건 위해 감소 가능성을 더 널리 알려줄 것”이라고 설명했다.

 

필립모리스 인터내셔널(PMI)의 마누엘 피취(Manuel Peitsch) 최고연구책임자가 오늘 발표한 연구 결과에 따르면 실제와 같은 식당 환경에서 아이코스에 간접적으로 노출된 비흡연자는 니코틴과 발암물질로 알려진 담배특이니트로사민에 대한 노출이 증가하지 않은 것으로 나타났다.

 

따라서 주변 사람들이 아이코스에 간접적으로 노출됐을 때 이러한 화합물에 대한 노출에 부정적 영향을 미치지 않는다고 결론지을 수 있다는 설명이다.

 

아이코스는 현재 기타 평가항목에 대한 분석이 진행 중이며, 최종 연구 보고서에 모든 연구 결과를 발표할 계획이다.

 

이번 연구 결과는 자사의 혁신적인 연기 없는 제품이 흡연자들에게 덜 해로운 대체 제품이며 더 나아가 전반적인 공중보건에 도움이 될 수 있다는 것을 입증하고자 하는 회사의 계획에 확신을 줄 것이라는 입장이다.

 

한편, 필립모리스 재팬에 따르면 일본에서 300만 명을 비롯하여 전 세계에서 500만 명 이상의 성인 흡연자가 아이코스로 전환했다.

 

일본 아이코스 전용 담배제품인 말보로 히트스틱은 지난 1월을 기준으로 일본 전국 시장점유율 16.8%를 기록했으며, 도쿄에서의 시장점유율은 약 18.6%에 달한다.

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박광우 기자 kw.park@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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