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황각규 롯데 부회장 “지속성장 출발점은 인재 확보”

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Thursday, May 17, 2018, 10:05:48

롯데하이마트 신입 공채 면접 현장 찾아..신동빈 회장 대신 황 부회장이 그룹 안팎 챙겨
작년 신 회장 롯데케미칼 면접 방문해 지원자 격려..황 부회장, 청년 일자리 창출 노력 주문

인더뉴스 권지영 기자ㅣ 신동빈 롯데그룹 회장이 구속수감된지 3개월이 넘어가면서, 공백을 메우느라 애쓰고 있다. 지난 2월부터 비상경영체제에 돌입한 롯데는 황각규 롯데지주 부회장이 신 회장을 대신해 신입사원 면접 채용장을 방문하는 등 그룹 안팎을 챙기고 있다. 

 

황각규 롯데지주 부회장은 지난 16일 롯데하이마트 신입사원 공개채용 면접 현장을 찾았다. 서울 강남구 롯데하이마트 본사에서 진행됐으며, 황 부회장이 지원자들을 직접 만난 것은 처음이다. 

 

이날 황 부회장은 현재 부재 중인 신동빈 회장을 대신해 롯데그룹의 신입사원 면접과정을 점검하기 위해 나선 것으로 풀이된다. 신 회장은 작년 롯데케미칼 하반기 공채 면접현장을 직접 방문해 예비 신입사원들을 격려했다. 

 

당시 롯데케미칼은 월드타워로 본사를 이전한 후 처음으로 내부에서 신입사원 공채 면접을 진행했다. 신 회장은 지주사 출범 이후 그룹 예비 신입사원들과 첫 만남 자리였다. 실무면접부터 임원면접까지 하루에 모두 끝마치는 '원스톱 면접' 진행과정을 점검했다. 

 

황각규 부회장도 이날 면접대기실에 들러 지원자들에게 롯데에 지원해 준 것에 대해 감사 인사를 전하고, 면접 선전을 응원했다. 역량면접과 토론면접 등을 하루에 끝마치는 ‘원스톱 면접’ 진행 과정을 살펴보고 면접관들을 격려했다.

 

황 부회장은 “고객이 원하는 가치를 창출하고, 사업 전반에 4차 산업기술을 적용한 혁신을 이루기 위한 출발점은 인재 확보다”며 “비록 경영환경의 불확실성이 높은 상황이지만, 지속가능한 성장을 인재에 대한 투자를 게을리해서는 안된다”고 말했다.

 

이어 황 부회장은 청년채용 확대를 위해 적극 노력해 줄 것을 인재운영 책임자들에게 주문했다. 그는 “청년 실업이 사회적 문제로 대두되는 만큼 기업의 사회적 책무로서 청년 일자리 문제 해결에 적극 동참해야 한다”고 강조했다. 

 

이와 함께 황 부회장은 공정하고 객관적인 심사시스템을 통해 직무 역량과 도전정신을 가진 우수 인재를 선발할 것을 당부했다. 

 

롯데는 지난 3월 상반기 신입사원 공개채용을 시작해, 현재 각 계열사별로 면접 전형을 진행 중이다. 롯데는 상반기 신입사원 공개채용과 하계 인턴사원 공개채용을 통해 1150명을 선발할 계획이다.

 

또한 롯데 고유의 블라인드 채용인 ‘롯데 SPEC태클 채용’을 지속 실시해 통해 능력중심 채용 문화 정착에도 앞장설 방침이다.

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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