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퇴직연금 수익률 1%대..금융위, 자산운용 규제 완화

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Wednesday, May 23, 2018, 15:05:36

9月부터 TDF 투자한도 70%→100%·DB형 리츠 투자 허용..원리금보장상품에 저축은행 예·적금 편입

[인더뉴스 정재혁 기자] 저조한 퇴직연금 수익률을 제고하기 위한 방안으로 적립금 운용 관련 규제 완화가 추진된다. ‘TDF(Target Date Fund)’에 대한 투자 확대를 유도하고, 부동산투자신탁인 ‘리츠(REITs)’에 대한 투자도 부분적으로 허용된다.

 

금융위원회(원장 최종구)는 다양한 퇴직연금 상품 출시와 수익률 제고를 위한 방안으로 퇴직연금감독규정 개정을 통해 자산운용 규제 개선에 나선다고 23일 밝혔다. 주요 개정 내용은 ▲TDF 투자 제한 완화 ▲리츠 투자 허용(DB형) ▲원리금보장상품에 저축은행 예·적금 허용 등이다.

 

 

퇴직연금 적립금 규모는 세제혜택과 개인형 퇴직연금(IRP) 가입대상 범위 확대 등의 영향으로 꾸준히 늘고 있다. 지난 2015년 126조 4000억원에서 지난해 168조 4000억원으로 2년 만에 42조원이 늘었다. 하지만, 수익률은 2015년 2.15%에서 작년 1.88%로 오히려 떨어졌다. 

 

낮은 수익률의 원인으로는 저금리 기조와 더불어 원리금보장상품 위주의 운용 등이 거론된다. 실제로, 원리금보장상품에 대한 투자비율은 지난해 기준으로 91.6%에 달한다. 이에 따라 금융당국이 업계 등의 건의를 바탕으로 자산운용 관련 규제 완화에 나서게 된 것.

 

먼저, 퇴직연금 자산에서 TDF에 대한 투자를 기존 퇴직연금 자산 대비 70%에서 100%까지 허용하기로 했다. TDF란 은퇴예상시점까지 남은 기간 등에 따라 위험자산과 안전자산의 비중을 지속적으로 조정해 안정적인 수익을 추구하는 펀드를 말한다.

 

금융위 관계자는 “선진국에서는 별도 운용지시 없이 지속적인 리밸런싱(재조정)이 가능한 TDF가 연금상품으로 널리 활용되고 있다”며 “하지만, 국내에서는 TDF에 대한 투자 제한으로 활성화되지 못 하고 있는 상황”이라고 말했다.

 

다만, 기금 안정성 확보 차원에서 금융감독원장이 정한 기준을 총족한 TDF에 대해서만 100% 투자가 허용된다. 해당 기준으로는 가입자의 ▲가입기간 동안 주식투자 비중 80% 이내 ▲예상은퇴시점 이후 주식투자 비중 40% 이내 ▲투자부적격등급 채권에 대한 투자한도 제한 등이다.

 

아울러, DB형 퇴직연금에 한해 리츠에 대한 투자를 허용하기로 했다. 리츠는 부동산투자회사법에 따라 설립된 투자기구로, 투자자들로부터 자금을 모집하고 부동산 개발·임대 등을 통해 얻은 수익을 배분한다.

 

현재 퇴직연금 운용방법으로 부동산 펀드 투자는 가능(퇴직연금사업자의 계열사가 출시·투자한 펀드 제외)한 반면, 이와 성격이 유사한 리츠에 대한 투자는 금지돼 있다. 

 

이밖에 퇴직연금으로 편입 가능한 원리금보장상품으로 은행 예·적금 외에 저축은행 예·적금을 추가한다. 저축은행 예·적금의 경우 예금자보호법상 은행 예·적금과 동일한 보호를 받으면서도 금리 수준이 높다. 지난 3월 기준 1년 만기 정기예금 평균금리는 저축은행이 2.47%로, 은행 1.66%에 비해 높았다.

 

개선안 관련 규정개정 절차는 오는 9월에 완료된다. 24일부터 7월 3일까지 규정변경예고와 규개위 심사, 금융위 의결 등을 거칠 예정이다.

 

금융위 관계자는 “고용노동부와 앞으로도 퇴직연금의 신뢰성 제고를 위한 제도개선 방안 마련을 위해 지속 협력해 나갈 예정”이라고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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