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임플란트 시술받고 ‘보험 사기범’ 되는 몇 가지 방법

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Thursday, May 24, 2018, 06:05:00

금감원, 임플란트 관련 보험사기 사례 소개..“사기죄·위조사문서 행사죄 등 적용돼 주의해야”

 

[인더뉴스 정재혁 기자] #. 임플란트 시술을 받은 A씨는 수술보험금을 받을 수 있다는 치위생사 B씨의 말을 듣고, ‘치조골 이식술’을 동반한 임플란트 진단서를 허위로 발급 받아 수술보험금 600만원을 수령했다. A씨는 이런 사실이 발각돼, 사기죄 및 위조사문서 행사죄로 벌금 500만원을 선고 받았다.

 

앞선 사례에서 A씨는 치과 직원의 꼬임에 넘어가, 허위로 진단서를 발급 받고 보험금을 수령했다가 보험사기범이 됐다. 일반인 입장에서는 심각성을 인지하지 못 한 채 보험사기에 연루돼 형사처벌 등의 불이익을 받을 수 있다는 점을 명심해야 한다.     

 

금융감독원(원장 윤석헌)은 임플란트 시술과 관련된 보험사기 유형들을 24일 소개했다. 치조골 이식술 허위청구를 비롯해 ▲질병→재해골절 허위진단 ▲수술일자 나눠 보험금 청구 ▲병력 발생일자 변경 등이다.

 

먼저, 치조골 이식술이란 임플란트 시술 때 치아를 둘러싸고 있는 뼈인 치조골이 부족한 경우 임플란트를 단단하게 고정하기 위해 뼈를 이식하는 수술을 말한다. 일부 보험상품은 이러한 치조골 이식술을 수술특약을 통해 보장하고 있다.

 

문제는 임플란트 시술 때 치조골 이식술을 받지 않았는데도, 허위로 진단서를 발급받아 수술보험금을 수령할 수 있다는 것. 이러한 행위는 사기죄 및 위조사문서 행사죄 등에 해당돼 걸릴 경우 벌금을 내야 한다.

 

또한, 치조골 이식술 관련 보험금을 더 많이 타내기 위해 수술일자를 나눠 보험금을 청구하는 사례도 있었다. 예를 들어, B씨는 하루에 치조골 이식술을 동반해 임플란트 총 7개를 심었는데, 이를 4개 일자로 나눠 진단서를 받아 총 800만원의 수술보험금을 수령했다. 결국 B씨는 사기죄로 벌금 300만원을 선고받았다.

 

이밖에 보험기간 전 치아 상실을 보장받기 위해 발치 일자를 보험가입일 이후로 변경하는 것도 보험사기에 해당된다. 예를 들어, 오른쪽 어금니가 발치된 상태에서 보험에 가입한 C씨는 치조골 이식술을 동반한 임플란트 시술을 받더라도 수술보험금을 받을 수 없다.

 

보험약관상 보험기간 중에 발생한 질병을 치료하기 위한 수술에만 보험금을 지급하기 때문. 이에 C씨는 임플란트 시술 때 치아를 발치했다고 허위로 진단서를 받아 수술보험금 200만원을 챙겼고, 이후 사기죄 및 위조사문서 행사죄로 기소유예 처분을 받았다.

 

한편, 일부 치과는 재해골절을 보장하는 보험에 가입한 환자가 치주질환으로 임플란트를 시술받을 경우, 치주질환을 재해골절로 허위 진단해 골절보험금을 타내도록 유도했다. 하지만, 금감원 측에 따르면 이는 보험사기가 분명함에도 법적 처벌 사례가 아직 보고된 바 없었다.

 

금감원 관계자는 “골절보험금은 소액이 많다 보니, 형사 처벌까지 가는 경우가 없는 것으로 보인다”며 “하지만, 이는 보험사기가 분명하며 발각될 경우 보험사 차원에서 보험금을 환수하고 추후 보험 가입을 거부할 수 있다”고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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