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신동빈 회장, 롯데지주 지분 10% 넘어..“지배력 강화”

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Thursday, June 21, 2018, 18:06:08

롯데지주, 1445억 4700만원 규모 롯데제과·롯데칠성음료 보통주 현물출자
신주 248만 514주 유상증자 단행..신 회장 지분율 8.63%서 10.47%로 늘어

인더뉴스 권지영 기자ㅣ 신동빈 롯데 회장이 롯데지주 지분율 10%를 넘기면서 최대주주 입지를 강화했다. 

 

21일 롯데지주는 신동빈 회장이 1445억 4700만원 규모의 롯데제과와 롯데칠성음료 보통주를 현물 출자하고, 롯데지주 신주 248만 514주를 부여 받는 형태의 유상증자를 단행했다고 공시했다. 이로 인해 신 회장의 롯데지주 지분율은 8.63%에서 10.47%로 늘었다. 

 

신 회장의 지분율은 지난 2월 롯데상사와 롯데로지스틱스, 한국후지필름, 대홍기획, 롯데아이티테크 등 6개 계열사를 합병하는 과정에서 8%대로 줄었다. 이번 유상증자로 지분율을 확대하고 그룹 지배력에도 힘이 실리게 됐다. 

 

롯데지주 지분 구성은 자사주가 40.17%로 가장 많다. 이어 신 회장 10.47%, 신격호 명예회장 2.95%, 신동주 전 롯데홀딩스 부회장 0.15%, 신영자씨 2.07%, 롯데장학재단 3.83%, 호텔롯데 8.84%, 부산롯데호텔 0.86%, 롯데케미칼 0.15%, 롯데알미늄 4.67%, 롯데상사 0.39%, 일본 롯데홀딩스 2.28%, L제2투자회사 1.35%, L제12투자회사 0.72% 등이다. 

 

일본롯데홀딩스가 호텔롯데, 롯데알미늄, L투자회사 등 자회사를 통해 영향력을 끼칠 수 있는 지분율은 총 19.1%다. 신 회장이 지분율을 10%를 넘기면서 개인 최대주주로 입지를 굳혔지만, 실질적 롯데지주를 지배하는 최대주주는 일본롯데홀딩스다. 

 

이번 유상증자는 지주사의 자회사 요건을 맞추기 위해 진행됐다. 현행법상 지주사의 자회사로 인정받기 위해서는 지주사가 상장 자회사의 경우 지분율 20%, 비상장사의 경우 30% 이상이어야 한다. 

 

한편, 이달 29일 일본 도쿄 롯데홀딩스 본사에서 정기주총이 열린다. 이번 주총은 신동주 전 부회장의 요구로 동빈 회장 및 쓰쿠다 다카유치 롯데홀딩스 사장의 이사 해임 안건과 신동주 전 부회장의 이사 선임 건이 의결될 예정이다. 

 

이와 관련, 신동빈 회장측은 경영권 방어를 위한 일본롯데홀딩스 주총 참석을 이유로 법원에 보석을 신청했다. 신 회장은 지난 2월 롯데가 K스포츠재단에 70억원의 뇌물 공여한 혐의가 인정되면서 법정구속 됐다. 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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