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올 상반기 새희망홀씨 공급 1.8兆...목표치 54% 달성

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Wednesday, August 29, 2018, 12:08:00

금감원, 상반기 새희망홀씨 취급실적 발표..전년 동기 대비 28% 증가
상위 6개 은행 실적이 전체 86% 차지..농협은행 外 목표치 50% 초과

 

[인더뉴스 정재혁 기자] 서민 대상 중금리 대출상품인 ‘새희망홀씨’ 대출의 상반기 공급액이 1조 7788억원으로, 올해 공급목표 3조 3000억원의 절반을 상회한 것으로 나타났다. 주요 은행별로는 NH농협은행을 제외한 대부분의 시중은행들이 연 목표치의 절반을 넘어섰다.

 

금융감독원(원장 윤석헌)이 29일 발표한 ‘2018년 상반기 새희망홀씨 취급실적’에 따르면, 국내은행(산업‧수출입 제외 15개 은행)의 공급액은 1조 7788억원으로 전년 동기(1조 3900억원) 대비 3888억원(28.0%) 증가했다.

 

새희망홀씨 대출의 지원 대상은 연소득 3500만원 이하 또는 신용등급 6등급 이하면서 연소득 4500만원 이하다. 금리는 연 6~10.5% 수준이며, 대출한도는 최대 3000만원 이내에서 은행별로 자율적으로 결정한다. 1년 이상 성실 상환자나 취약계층에 대해서는 금리 혜택이 제공된다.

 

은행별로는 국민은행(3044억원), 우리은행(3031억원), 신한은행(3012억원), KEB하나은행(2925억원), 기업은행(1845억원), 농협은행(1393억원) 순이다. 상위 6개 은행의 대출실적(1조 5250억원)이 전체 실적의 대부분(85.7%)을 차지했다. 특히, 국민은행과 우리은행은 전년 동기 대비 각각 834억원(37.7%), 1097억원(56.7%) 증가했다.

 

올해 공급목표(3조 3000억원) 달성률은 53.9%로 전년 동기 목표달성률보다 7.8%p 상승했다. 금감원 관계자는 “새희망홀씨가 하반기에 더 많이 공급되는 종래 사례를 고려하면, 금년도 목표액 달성은 큰 어려움이 없을 것으로 보인다”고 말했다.

 

연간 공급계획의 50% 이상 달성한 은행은 전북은행(136.4%), 기업은행(68.3%), 씨티은행(63.4%), 제주은행(61.0%), 우리은행(57.2%), KEB하나은행(53.2%), 부산은행(52.9%), 신한은행(52.8%), 국민은행(51.6%) 등 9개다.

 

6월말 기준 새희망홀씨의 평균금리(신규)는 7.74%로 작년 12월(7.86%) 대비 0.12%p 하락했다. 저신용‧저소득 차주에 대한 대출 비중이 93.4%로 대다수를 차지했다. 연체율(6월말 기준)은 2.48%로 전년말(2.33%)보다 소폭 증가했지만, 비교적 양호한 수준을 유지했다.

 

금감원은 올해 공급목표의 차질 없는 달성 등 어려운 서민들에게 실질적으로 도움을 줄 수 있도록 은행의 자율적 지원을 유도한다는 방침이다. 올해 서민금융지원활동이 우수한 은행에 대해서는 연말 금융감독원장 표창 수여 등의 인센티브가 제공된다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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