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상반기 은행권 BIS비율↑...실적 상승 영향

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Thursday, September 13, 2018, 12:09:00

금감원, 국내은행‧지주 BIS기준 자본비율 현황 발표...씨티‧카뱅 등 높은 수준 기록

[인더뉴스 정재혁 기자] 올해 상반기 국내은행과 은행지주회사의 BIS기준 자본비율이 2분기 양호한 실적을 바탕으로 상승했다. BIS기준 자본비율은 총자산에서 자기자본이 차지하는 비율로, 은행과 은행지주회사 등의 건전성을 측정하는 대표적인 지표다.

 

13일 금융감독원(원장 윤석헌)에 따르면, 6월말 국내은행의 BIS기준 총자본비율, 기본자본비율, 보통주자본비율, 단순기본자본비율은 각각 15.48%, 13.38%, 12.83%, 6.61% 수준인 것으로 나타났다.

 

 

지난 3월말 대비 총자본비율(0.17%p), 기본자본비율(0.10%p), 보통주자본비율(0.08%p), 단순기본자본비율(0.05%p) 모두 상승한 것. 이는 지난 2분기 중 자본증가율이 위험가중자산 증가율과 총익스포져증가율을 상회했기 때문으로 풀이된다.

 

총자본의 경우 당기순이익 발생(4조 4000억원), 유상증자(7000억원) 및 조건부자본증권의 신규 발행(1조 3000억원) 등으로 7조원이 증가했다. 위험가중자산은 29조 4000억원 늘었다.

 

은행별로는 씨티은행(18.74%)과 카카오뱅크(16.85%)의 총자본비율이 높은 편에 속했다. 케이뱅크(10.71%)와 수출입은행(13.26%)은 상대적으로 낮은 수준을 기록했다.

 

주요 시중은행별로는 KEB하나(16.41%), 신한(16.17%), 국민(15.89%), NH농협(15.85%), 우리(15.25%) 순이었다. 은행지주회사별로는 KB(15.14%), 신한(14.85%)이 높았고, JB(12.64%), DGB(13.19%)는 낮은 축에 속했다.

 

국내은행과 은행지주회사의 올해 6월말 총자본비율(은행 15.48%‧지주 14.46%)은 바젤Ⅲ 규제 비율(올해 12.5%)를 상회하는 것으로 나타났다. 특히, 2분기 양호한 실적 등의 영향으로 자본비율이 더욱 상승했다.

 

곽범준 금감원 은행감독국 팀장은 “현재 은행 및 은행지주회사의 자본비율이 안정적인 수준을 유지하고 있다”며 “다만, 향후 대내외 경제불확실성 등에 대비해 내부 유보 등 적정 수준의 자본 확충을 지속적으로 유도할 것”이라고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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