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잘 못 송금한 돈, 내년부터 받기 쉬워진다

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Tuesday, September 18, 2018, 14:09:00

정부‧국회, 착오송금 구제 위해 법 개정 추진...“예보가 1000만원 이하 소액 채권 80% 가격 매입”

 

[인더뉴스 정재혁 기자] 앞으로 소비자가 실수로 잘못 송금(착오송금)한 돈을 돌려받기가 쉬워질 전망이다. 반환을 거부하는 착오송금 채권을 예금보험공사가 매입해 송금인 피해를 구제하는 방안이 마련되며, 이를 통해 80% 이상의 착오송금 피해 사례가 구제될 것으로 보인다.

 

금융위원회(위원장 최종구)는 18일 오후 은행연합회에서 ‘착오송금 구제를 위한 현장 간담회’를 개최했다. 이날 행사에는 최종구 금융위원장, 민병두 국회 정무위원회 위원장을 비롯해 착오송금 피해자, 은행 창구직원, 금융업권별 관계자 등이 참석했다.

 

착오송금이란 송금인의 착오로 인해 송금금액, 수취금융회사, 수취인 계좌번호 등이 잘못 입력돼 이체된 거래를 말한다. 작년 은행권에서 9만 2000건의 착오송금(2385억원)이 신고됐는데, 이 중 5만 2000건(미반환율 56.3%)이 송금인에게 미반환(1115억원)된 것으로 나타났다.

 

금융권 전체로는 지난해 11만 7000건의 착오송금(2930억원)이 신고됐다. 이 가운데 6만건이 송금인에게 미반환(미반환율 51.6%)됐다.

 

그동안 금융권은 착오송금 예방을 위해 ‘자주 쓰는 계좌’ 등록, 지연 이체제도 등을 도입한 바 있다. 하지만, 송금 후에는 수취인의 동의 없이 반환받을 수 없기 때문에 송금인의 권리구제가 수취인의 동의에 전적으로 의존하는 한계가 명확했다.

 

이에 금융위와 국회는 예금자보호법 개정을 통해 수취인 거부로 반환되지 않은 착오송금 관련 채권을 예금보험공사가 매입하는 방안을 마련키로 했다. 예보는 착오송금 수취인을 상대로 소송 등을 통해 착오송금을 회수하게 된다.

 

매입 대상은 착오송금일로부터 1년 이내 채권으로서 송금금액 기준으로는 5만원~1000만원이며, 추후 구제대상 확대가 논의될 전망이다. 매입 가격은 송금인의 도덕적 해이를 방지하고 소송비용 마련 차원에서 송금액의 80%로 정했다.

 

정부는 착오송금 구제사업이 성공적으로 정착할 경우 연간 약 5만 2000건(작년 은행권 기준)의 미반환 착오송금 중 약 82%인 4만 3000건이 구제 가능할 것으로 예상하고 있다.

 

향후 민병두 의원(국회 정무위)이 예금자보호법 개정(안)을 발의할 예정이며, 정부는 올해 정기국회에서 개정(안)이 입법 완료될 수 있도록 적극 지원할 계획이다. 법개정이 완료되면 하위법령 정비 등을 거쳐 내년 상반기 중 구제사업이 개시될 예정이다.

 

이날 간담회에서 최종구 금융위원장은 “그동안 착오송금 문제는 개인의 실수라는 인식이 있었지만, 이로 인해 국민들이 겪게 되는 재산상 피해를 생각하면 단순히 개인 실수로 간주할 수만은 없다”며 “정부는 보다 적극적으로 구제 방안을 마련하고 관계기관과 함께 추진해 나갈 것”이라고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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