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KB·신한 등 9개 금융지주, 올 하반기 2749명 채용

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Monday, October 01, 2018, 12:10:00

금감원, 상반기 금융지주사 경영실적 발표...당기순익 7兆로 전년比 10% 증가

 

[인더뉴스 정재혁 기자] KB금융지주와 신한금융지주 등 9개 금융지주사의 올해 신규채용 규모가 대폭 늘어날 전망이다.

 

1일 금융감독원(원장 윤석헌)이 발표한 ‘2018년 상반기 금융지주회사 경영실적(연결기준)’에 따르면, 9개 금융지주사(KB, 신한, 하나, 농협, BNK, DGB, JB, 한투, 메리츠)의 하반기 신규채용 예상 규모는 2749명으로 나타났다.

 

올해 전체 신규 채용 규모는 3734명으로, 작년(2565명) 대비 45.6%나 증가한 수치다. 정부의 청년 일자리 창출 정책에 부응하는 모양새다.

 

6월말 기준 9개 금융지주사의 소속회사 수는 200개로 전년말 대비 1개(0.5%) 증가했고, 점포수는 전년말(7148개) 대비 8개(0.1%) 늘어났다. 임직원 수는 11만 5063명으로 전년말(11만 4833명)보다 230명(0.2%) 증가했다.

 

전체 금융지주의 연결당기순이익은 7조 731억원으로 전년동기(6조 4165억원) 대비 6566억원(10.2%) 증가했다. 권역별로 보면 은행(4조 4425억원→5조 1795억원)과 금융투자(1조 818억원→1조 3079억원)가 증가한 반면, 보험(5674억원→4955억원)과 비은행(1조 2521억원→9643억원)은 감소했다.

 

연결 총자산은 2006조원으로 전년말(1901조 3000억원) 대비 104조 7000억원(5.5%) 증가했다. 권역별로는 은행 69조 1000억원(4.8%), 금융투자 24조 7000억원(13.4%), 보험 4조 8000억원(2.8%), 비은행 5조 4000억원(5.1%) 등이었다.

 

올 상반기 자본적정성과 자산건전성은 모두 전년말보다 개선됐다. 먼저, 바젤Ⅲ 기준을 적용받는 금융지주의 총자본, 기본자본, 보통주자본 비율은 각각 14.49%, 13.11%, 12.56%로 전년말 대비 각각 0,08%p, 0.20%p, 0.17%p 상승했다.

 

자산건전성을 나타내는 고정이하여신비율은 0.77%로 기업경영 정상화 등 고정이하여신이 감소해 전년말(0.82%) 대비 0.05%p 하락했다. 아울러, 대손충당금 적립액도 증가해 대손충당금적립률(총대손충당금/고정이하여신)은 전년말 103.86%에서 114.75%로 높아졌다.

 

부채비율은 31.11%로 전년말(32.38%)보다 1.27%p 하락했다. 이중레버리지비율(자회사 출자총액/자본총계)은 122.41%로 자본 증가폭(3조 1000억원, 3.6%)이 부채조달을 통한 자회사 출자 증가폭(1조 8000억원, 1.7%)을 상회해 전년말(124.74%) 대비 2.33%p 하락했다.

 

서정호 금감원 금융그룹감독실장은 “올해 상반기 금융지주의 경영실적은 성장성, 수익성, 안정성 등 가 부문에서 전반적으로 개선됐다”며 “이는 은행 자회사의 순이자마진 개선, 금투 자회사의 수수료 증가 등에 기인했다”고 말했다.

 

이어 감독방안에 대해서는 “미국 금리인상, 무역갈등 등 대외 불안요인과 국내 실물경제의 둔화 가능성을 감안해 금융지주사들의 내실 있는 성장과 금융 본연의 기능 강화에 초점을 맞출 것”이라고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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