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상반기 실손보험 손해율 122.9%...전년比 1.7%p↓

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Thursday, October 04, 2018, 12:10:00

금감원, 상반기 개인실손의료보험 손해율 등 현황 발표...보험료수익 증가로 손해율↓

인더뉴스 김현우 기자ㅣ 올해 상반기 개인실손보험 위험 손해율이 감소한 것으로 나타났다. 새롭게 판매되는 신실손보험과 유병력자보험계약의 증가로 발생손해액도 늘었지만, 보험료수익 증가분이 발생손해액 증가분을 상회해 결과적으로 위험손해율은 감소했다.

 

4일 금융감독원(원장 윤석헌)이 발표한 ‘2018년 상반기 개인실손의료보험 손해율 등 현황’에 따르면, 위험보험료는 3조 5000억원, 발생손해액은 4조 3000억원으로 위험손해율(발생손해액/위험보험료)은 작년 같은 기간과 비교해 1.7%p가 감소한 122.9%로 나타났다.

 

이를 자세히 살펴보면, 발생손해액이 작년 같은 기간에 비해 5441억원(14.6%)이 증가했다. 하지만 보험료수익이 6188억원(17.3%)이 증가해 실손보험 손해율은 감소하는 추세를 보였다.

 

 

발생손해액은 손해보험의 증가분(4460억원, 85.7%)이 대부분이며, 생명보험은 981억원이 증가했다. 이 중 작년 4월부터 판매한 신실손보험의 보험금 청구가 점차 증가하는 것으로 나타났다(17년 상반기 26억원→18년 상반기 1069억원).

 

올해 6월말 개인실손보험의 보유계약은 3396만건으로 작년 같은 기간보다 37만건(1.1%) 증가했다. 보유계약 증가분의 대부분은 손해보험(35만건, 비중 94.6%)이며, 신실손보험(87만건)과 유병력자실손보험(11만건) 판매가 늘었기 때문이다.

 

한편, 생보는 유병력자 미판매와 일부 생보사(KDB, DGB생명)의 실손 판매중단 등으로 0.3%(2만건, 비중 5.4%)증가한데 그쳤다.

 

구체적인 상품종류별 보유계약 현황을 살펴보면 ▲표준화 이전 실손보험 27만건 감소 ▲표준화 이후 실손보험 51만건 감소 ▲신실손보험 104만건 증가 ▲노후실손보험 1000건 증가 ▲유병력자실손보험 11만건 등이다.

 

보험료 수익은 작년 같은 기간 대비 6187억원(17.3%) 증가했다. 업계별로는 생보사 967억원(15.3%), 손보사 5220억원(17.7%)이 각각 증가했다. 계약갱신(주기 3·5년)에 따른 보험료 증가와 유병력자실손보험 신규 판매 등이 주 요인이다.

 

금감원 관계자는 “정부의 건강보험 보장성 강화 추진에 따른 실손보험 손해율 변동 추이 등에 대해 지속적으로 모니터링할 예정”이라고 말했다.

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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