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“결백” 신동빈 롯데 회장, 항소심 D-1...운명은?

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Thursday, October 04, 2018, 19:10:33

5일 서울고등법원서 ‘최순실 뇌물공여’, ‘롯데그룹 경영비리’ 2심 재판 열려
롯데, 8개월 간 총수 부재로 시급한 사업 현안 산적..투자·채용 결정 필요

인더뉴스 권지영 기자ㅣ 신동빈 롯데그룹 회장의 운명을 가를 재판이 하루 앞으로 다가왔다. 신동빈 회장은 지난 2월 '최순실 국정농단' 사건으로 구속됐는데, 이번 2심에서 집행유예로 풀려날지업계 안팎에서 촉각을 곤두세우고 있다. 

 

롯데는 총수 공백이 장기화되면서 대규모 투자와 인력 채용 등 큰 결정이 미뤄진 상황이다. 지주회사 체제 전환 이후 후속작업도 더딘 것으로 알려졌다. 황각규 롯데지주 부회장을 필두로 비상경영체제로 전환했지만 전문경영인이 의사결정하는 데 한계가 있다는 설명이다. 

 

4일 관련 업계에 따르면 서울고등법원 형사8부(재판장 강승준)는 오는 5일 신동빈 회장의 '최순실 뇌물공여', '롯데그룹 경영비리' 혐의 등에 병합 선고를 내린다.

 

1심에서 신 회장은 경영비리 혐의에 대해 징역 1년 8개월에 집행유예 2년 선고를 받았다. 하지만 뇌물공여 혐의에 대해 징역 2년 6개월 실형이 선고되면서 법정구속됐다. 검찰은 2심에서 신 회장에게 두 혐의를 합쳐 징역 14년과 벌금 1000억원, 추징금 70억원을 구형했다. 

 

신동빈 회장의 공백이 8개월 동안 이어지면서 롯데의 시계는 거꾸로 흐르고 있다. 특히 사업별 구체적인 투자 계획을 확정하지 못 하면서 인력 채용 등 고용에도 소극적이다. 롯데 관계자는 “계열사에서 시급한 인원들만 채용하고, 그룹 전체 채용 부분을 확정하지 못 하고 있다”고 했다. 

 

무엇보다 총수의 결단력이 필요한 해외투자 작업이 올스탑됐다는 게 회사 측의 입장. 롯데는 인도네시아, 베트남, 미국 등에서 10여건의 투자 또는 인수합병 작업을 추진하고 있으며, 총 10조원 규모에 달한다. 

 

롯데는 인도네시아에 4조원을 들여 대규모 유화단지를 짓겠다는 계획이다. 롯데케미칼이 동남아시아의 석유화학제품 시장을 선점하기 위한 전략이지만, 제자리 걸음이다. 미국 루이지애나주에 3조원 규모의 유화 콤플렉스단지 조성작업도 진척이 더딘 상황이다. 

 

유통 계열사의 투자 계획도 속도가 느리다. 베트남에서 제과와 유통업체 등을 인수하는 작업을 진행 중이지만 굵직한 결정을 내리지 못 하고 있다. 또 최근 롯데마트가 중국 시장 철수 마무리 작업 관련, 구체적인 현안보고가 이뤄지지 않고 있다. 

 

투자 계획을 확정짓지 못하면서 인력 채용도 미진하다. 올해 채용 인력은 2300명으로 해마다 1만 2000~3000명 채용하는 수준과 비교해 크게 감소했다. 

 

롯데 관계자는 “계열사별로 추진하고 있는 인수·합병 관련 투자를 포함해 그룹 전체 투자 규모를 결정하지 못 했다”며 “인력 채용 역시 투자와 맞물리는 부분이라서 최종적인 투자 규모가 정해져야 인력, 지주사 전환 등 시급한 현안이 마무리될 것으로 보인다“고 말했다. 

 

한편, 롯데 계열사 노동조합 집행부는 최근 서울고등법원에 신 회장 석방을 요구하는 탄원서를 제출했다. 노조가 제출한 탄원서에는 “롯데는 박근혜 전 대통령에게 뇌물을 건넨 대가로 부정한 이득을 취한 사실이 없을 뿐더러 오히려 피해자”라며 신 회장의 결백을 주장하고 있다. 

 

이와 관련, 업계 한 관계자는 “신동빈 회장 2심 재판의 핵심은 면세점 관련 청탁이 있었는지를 두고 롯데측에서 제시한 새로운 증거를 인정하느냐에 달려 있을 것으로 본다”며 “회장 부재가 길어고 있는 만큼 (롯데는)재판 결과가 잘 나오길 바랄 것”이라고 말했다. 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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