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신동빈 회장 2심서 집행유예 4년 선고...경영복귀 빨라질 듯

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Friday, October 05, 2018, 16:10:12

법원, ‘국정농단·경영비리’ 혐의 기소된 신동빈 회장 2심서 징역 2.6개월·집행유예 4년

인더뉴스 권지영 기자ㅣ 신동빈 롯데그룹 회장이 '뇌물공여' 혐의 관련 실형을 선고받은 1심과 달리 2심에서는 징역형의 집행유예를 선고받았다. 지난 2월 신 회장은 '최순실 국정농단 관련 뇌물 공여' 1심 공판에서 징역 2년 6개월·추징금 70억이 선고돼 법정구속됐다. 

 

재판 전 침묵으로 일관했던 롯데 관계자들은 신 회장에 집행유예가 선고되자 한숨을 돌리는 분위기다. 황각규 롯데지주 부회장 등 롯데 주요 임원진들도 재판 후 상기된 얼굴로 황급히 재판장을 빠져 나갔다. 주요 현안이 산적한 만큼 신 회장의 빠른 경영복귀가 점쳐진다. 

 

5일 법원 등에 따르면 서울고등법원 형사8부(강승준 부장판사)는 5일 신 회장의 항소심 선고공판에서 신 회장에게 징역 2년 6개월에 집행유예 4년을 선고했다.

 

재판부는 신 회장이 박 전 대통령에게 면세점 특허를 청탁하는 대가로 최순실씨가 지배한 K스포츠재단에 70억원을 뇌물로 추가 지원했다는 혐의를 인정했다.

 

다만 "대통령이 먼저 요구해 수동적으로 응했고, 불응할 경우 기업활동 전반에 불이익을 받을 두려움을 느낄 정도였다"며 "의사결정의 자유가 다소 제한된 상황에서 뇌물공여 책임을 엄히 묻기는 어렵다"고 판단했다.

 

신 회장은 지난 2016년 3월 면세점 신규 특허 취득과 관련해 박근혜 전 대통령에게 부정한 청탁을 하고, 그 대가로 K스포츠재단에 하남 체육시설 건립비용 명목으로 70억원을 제공한 혐의(제3자 뇌물공여)혐의로 불구속 기소됐다. 

 

이번 재판에서 안종범 전 청와대 경제수석이 신 회장에게 먼저 만남을 제의했고, 1심과 달리 신 회장과 면세점 특허에 대해 논의하지 않았다고 진술했다. 또 신 회장에게 불리하게 작용했던 김종덕 전 문화체육부장관의 진술 역시 허위로 드러났다. 

 

신 회장이 집행유예로 풀려난 것과 동시에 바로 경영에 복귀할 것으로 보인다. 당장 해외에서 진행한 대규모 투자와 신규 인력 채용, 지주사 체제 후속작업에 속도가 날 것으로 전망된다. 

 

그룹 총수의 결단이 필요한 사업계획을 구체화할 수 있는 것. 롯데는 인도네시아의 4조원 규모 유화단지와 미국 루이지애나주의 3억원 규모 유화 콤플렉스단지 조성작업에 진척이 있을 것으로 예상된다. 

 

롯데마트의 중국시장 철수 마무리 작업 등에 대한 유통업계 현안보고가 이뤄지면서 새로운 사업 구상이 나올 가능성도 있다. 

 

신규 채용 규모도 확정될 것으로 보인다. 지금까지 롯데는 각 계열사에서 필요한 인력을 채용했다. 신 회장이 나온만큼 신규 채용 규모가 평소(1만 2000~3000)규모가 될 것이란 전망이 나온다.

 

이와 관련, 롯데그룹은 “재판부의 현명한 판단을 존중한다”며 “롯데는 그동안 원활하게 진행되지 못 했던 일들을 챙겨나가는 한편, 국가 경제에 이바지하고, 사회적인 책임을 다하는 기업이 될 수 있도록 더욱 노력하겠다”고 말했다. 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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