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3분기 車보험 2천억 손실...겨울 한파·여름 폭염 영향

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Tuesday, November 27, 2018, 12:11:00

금감원, 3분기 손보사 실적 발표...당기순익 전년比 17.6% 감소 등

[인더뉴스 정재혁 기자] 3분기 손해보험사 실적이 전년 동기 대비 급감했다. 특히, 자동차보험의 경우 지난 2월 강설·한파, 여름 폭염 등의 영향으로 적자전환했다.

 

27일 금융감독원(원장 윤석헌)이 발표한 ‘2018년 3분기(1~9월) 손해보험회사 경영실적’에 따르면, 당기순이익은 2조 9163억원으로 전년 동기 대비 6239억원(17.6%) 감소했다.

 

보험영업손실이 1조 8054억원으로 전년 동기 대비 손실규모가 9838억원 확대됐다. 폭염 및 보험사고로 인한 손해액 증가(일반·자동차보험), 판매사업비 지출 증가(장기보험) 등이 주 원인이다.

 

 

자동차보험은 작년 3분기 2325억원 흑자에서 올해 3분기에는 오히려 2044억원 손실이 나면서 적자전환했다. 작년 같은 기간 대비 이익규모가 4369억원 감소했다. 지난 2월 강설·한파, 여름 폭염 등의 영향으로 보험금이 증가한 영향이 컸다.

 

일반보험의 경우 6592억원 이익을 내긴 했지만, 이익규모가 2755억원(29.5%) 감소했다. 폭염으로 인한 가축·농작물 피해, 국내외 보험사고(일본 태풍 피해 등)로 손해액이 증가했다. 이밖에 장기보험은 보장성보험 판매사업비 지출 증가 등으로 손실이 2714억원 확대돼 2조 2602억원 손실을 기록했다.

 

투자영업이익은 5조 8892억원으로 작년 동기 대비 3670억원 늘었다. 채권 이자수익 등 금융자산 운용수익 증가로 이익규모가 확대됐다. 영업외손실의 경우 1213억원으로 손실이 444억원 늘었다.

 

3분기 원수보험료는 63조 6087억원으로 전년 동기 대비 1조 7400억원(2.8%) 증가했다. 장기보험(보장성보험)과 퇴직연금 판매 증가 영향으로 각각 9497억원·9160억원 상승했다. 자동차보험은 작년 보험료 인하 효과 등으로 3734억원 감소했다.

 

이밖에 수익성 지표를 보면, 3분기 ROA(총자산이익률)는 1.37%, ROE(자기자본이익률)는 10.80%로 나타났다. 당기순이익 감소(6239억원) 등으로 전년 동기(1.81%, 13.91%) 대비 각각 0.44%p, 3.11%p 하락했다.

 

한편, 올해 3분기말 기준 손보사 총자산은 290조 620억원으로 전년 동기말(269조 3553억원) 대비 20조 7067억원(7.7%) 증가했다. 자기자본은 36조 7396억원으로 전년 동기말(35조 4172억원) 대비 1조 3224억원(3.7%) 늘었다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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