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‘궐련형 전자담배 유해성 논란’...식약처-필립모리스 법정 다툼 예고

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Tuesday, November 27, 2018, 12:11:07

식약처, 궐련형 전자담배 유해성 결과 정보 공개 소송에 맞대응

인더뉴스 권지영 기자ㅣ 식약처와 한국필립모리스가 '궐련형 전자담배' 유해성 분석 결과 정보공개를 두고 법정 공방으로 번졌다. 지난 10월 필립모리스가 제기한 정보공개 소송에 식약처가 지난 17일 답변서를 제출하며 대응에 나섰다. 

 

식약처는 지난 26일 법무법인 동인을 법률대리인으로 선정해 필립모리스의 정보공개 소송에 본격적인 대응을 시작했다. 

 

식약처 관계자는 "지난 6월 발표한 궐련형 전자담배의 유해성 분석결과에 대해 필립모리스가 정보공개 소송을 제기했고 재판절차에 따라 이에 대한 답변서를 제출했다"고 말했다. 

 

앞서 필립모리스는 식약처를 상대로 궐련형 전자담배 유해성 분석결과 발표 근거가 되는 분석방법과 실험 데이터 등에 대한 정보공개 소송을 제기했다. 이번 소송은 담배회사가 식약처를 상대로 '정보공개 거부처분 취소' 소송을 제기한 최초 사례다. 

 

당시 필립모리스는 “(식약처를 상대로)제한된 경우에만 예외적으로 거부할 수 있도록 규정한 '공공기관의 정보공개에 관한 법률(정보공개법)'에 근거해 소송을 진행하게 됐다”고 설명했다. 

 

한국필립모리스와 정부는 지난 6개월 동안 궐련형 전자담배 유해성 분석 방법 등의 정보 공개를 두고 줄다리기를 이어왔다. 필립모리스는 수 차례 자체 실험을 통해 궐련형 전자담배가 일반담배보다 유해물질 함유량이 적다는 것을 입증했다. 

 

하지만 정부는 지난 여름 궐련형 전자담배 유해성 분석 결과 발표에서 다른 결과를 냈다. 식약처는 ”궐련형 전자담배의 타르 함유량이 일반담배보다 더 많이 검출됐다”며 “궐련형 전자담배도 암 등 각종 질병을 일으킬 수 있어 일반담배보다 덜 유해하다는 근거는 없다”고 결론을 내렸다. 

 

정부가 궐련형 전자담배와 일반담배의 타르 수치 비교에 초점을 맞춘 결과를 발표한 것. 이에 필립모리스는 타르는 일반담배 연기에 적용되는 개념으로, 태우지 않아 연기가 발생하지 않는 궐련형 전자담배 제품엔 적용할 수 없다고 맞섰다. 

 

이후 필립모리스는 지난 7월 궐련형 전자담배 유해성 분석 발표에 대한 세부정보 공개를 식약처에 요청했다. 그러나 식약처는 보도자료 등 기존 정보 이외에 내용은 공개하지 않았고, 필립모리스는 식약처를 상대로 정보공개 소송을 제기했다. 

 

식약처가 최근 맞대응을 시작하면서 재판에서 판가름이 날 것으로 보인다. 식약처 관계자는 "이번 소송은 정보공개를 하는 게 타당하는지 아닌지에 대한 공방"이라며 “법원이 변론기일을 지정하면 이에 대해 준비를 할 것“이라고 덧붙였다. 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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