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檢, ‘채용비리’ 이광구 前우리은행장에 징역 3년 구형

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Thursday, December 06, 2018, 17:12:29

2015년~2017년 사이 불합격권 지원자 37명 부당합격 혐의...남 모 전 부행장 징역 1년 등

[인더뉴스 정재혁 기자] 채용비리 혐의로 기소된 이광구 전 우리은행장에게 검찰이 징역 3년을 구형했다.

 

검찰은 6일 서울북부지법 형사9단독 이재희 판사 심리로 진행된 결심 공판에서 “은행의 이익을 위한 일이었다는 (이 전 행장 측) 주장은 궤변”이라며 재판부에 징역 3년을 구형했다.

 

검찰은 이어 “(채용비리로 인해) 우리은행의 신뢰도와 주가가 떨어져 회사에 거액의 손해를 끼친 것”이라며 “자신의 영향력을 강화하고 출세하는 등 은행장 사익을 위한 행동이었다”고 말했다.

 

검찰은 이 전 행장과 함께 기소된 남 모 전 국내부문장(부행장)에게도 징역 1년을 구형했다. 이밖에 나머지 실무진 3명에 대해서는 징역 6개월~1년, 가담 정도가 낮은 실무자 1명에게는 징역 6개월에 집행유예 2년을 구형했다.

 

이 전 행장과 실무진 등은 지난 2015년부터 2017년 사이 우리은행의 공개채용 서류전형과 1차 면접에서 불합격권인 지원자 37명을 부당 합격시킨 혐의(업무방해)를 받고 있다.

 

이 전 행장은 재판에서 “성적뿐 아니라 출신 학교, 지역 안배, 회사에 이익이 될 사람의 추천 등 다른 요소들을 채용 절차에 고려한 것”이라며 무죄를 주장해 온 것으로 전해졌다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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