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“보험사, K-ICS 대비 위해 다양한 자본관리기법 활용해야”

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Sunday, January 06, 2019, 11:01:42

보험硏, ‘신 지급여력제도와 자본관리 다변화’ 발표
재보험·파생금융상품 활용 등 다양한 기법 활용 必

인더뉴스 김현우 기자ㅣ 오는 2022년에 도입예정인 K-ICS체제를 대비해 보험회사들은 재보험·파생금융상품 활용·보험계약 가치의 자본화 등 다양한 자본관리기법을 활용할 필요가 있다는 주장이 제기됐다.

 

보험연구원(원장 한기정) 소속 임준환 선임연구위원과 문혜정 연구원은 6일 발표한 ‘신 지급여력제도와 자본관리 다변화’ 보고서에서 “보험사들은 새롭게 도입되는 신 지급여력제도(K-ICS)에 대비해 자본관리(Capital Management) 수단을 지금보다 다변화할 필요가 있다”고 주장했다.

 

부채의 시가평가를 기반으로 하는 K-ICS체제에서 현행 자본관리기법만으로는 한계가 있다는 게 두 연구(위)원의 설명이다. K-ICS의 도입목적은 자산과 부채(책임준비금)의 완전 시가평가이며, 재무건전성 기준을 강화하기 위해서다.

 

 

임준환·문혜정 연구(위)원이 2012년부터 최근까지 보험사 자본관리 현황을 종합적으로 분석한 결과, 보험사들은 요구자본을 관리하기보다는 채권재분류, 후순위채권·신종자본증권 발행 등 전통적 자본관리기법을 통한 가용자본 확충에 보다 집중한 것으로 나타났다.

 

이에 두 연구(위)원은 “부채의 시가평가를 기반으로 하는 K-ICS체제가 도입되면, 채권재분류 등 전통적인 자본관리 방식은 한계가 있다”며 “이러한 방식은 결국 보험사 여유자본 불충분으로 이어져 자본시장을 통한 자금조달이 어려워질 수 있다”고 말했다.

 

여유자본(가용자본 - 요구자본)은 보험사의 새로운 보험사업을 위한 재원이면서 수익창출과 직결되는 것이다. 이 자본은 가용자본을 확충하거나 요구자본을 경감하는 방식을 통해 확충할 수 있다.

 

이에 따라, 보험사들은 재보험의 활용·보험계약가치의 자본화·금리위험 관리를 위한 파생금융상품 활용 등 다양한 자본관리기법을 통해 가용자본 확충뿐만 아니라 요구자본 경감 등도 동시에 준비해야한다는 게 두 연구(위)원의 설명이다.

 

보고서에 따르면, 보험사는 재보험 계약을 통해 보험부채의 규모 또는 보험부채에 내재된 보험·금리 위험을 재보험사에게 이전함으로써 가용자본을 확대하거나 요구자본을 경감시킬 수 있다.

 

또, 보험계약가치의 자본화는 가용자본을 추가적으로 확충할 수 있는 새로운 수단이 될 수 있다. 이 기법은 미래에 발생하는 보험이익을 할인된 현재가치의 금액으로 유동화해 가용자본을 신규로 창출하는 것을 말한다.

 

이와 함께 금리리스크 헤지를 위해 보험사가 국채선물, 금리스와프 등 금리파생상품을 적극 활용한다면 요구자본을 경감할 수 있는 또 하나의 수단이 될 수 있다.

 

이에 두 연구(위)원은 “보험사는 K-ICS체제에서 지금까지 사용해 온 전통적인 자본관리 방법의 한계를 인지해야 한다”며 “재보험·금리파생상품 활용 등 자본관리기법을 보다 선진화된 방향으로 다변화할 필요가 있다”고 말했다.

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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