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금융위, ‘발행분담금’ 일부 면제...“금감원 예산 영향 없다”

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Wednesday, January 30, 2019, 15:01:55

정례회의서 ‘금융기관분담금 징수 등에 관한 규정’ 개정안 심의·의결
커버드본드·P-CBO 발행분담금 감면..가계부채 관리·中企지원 목적

[인더뉴스 정재혁 기자] 금융위원회가 주식이나 채권 등 증권을 발행하는 회사가 내야하는 ‘발행분담금’을 일부 감면하기로 했다. 발행분담금은 금융감독원의 수입예산 중 하나인데, 금융위 측은 “발행분담금이 줄어도 금감원 총예산 규모는 줄지 않는다”는 입장이다.

 

금융위는 30일 제2차 정례회의를 개최해 ‘금융기관분담금 징수 등에 관한 규정’ 개정안을 심의·의결했다고 밝혔다.

 

금융기관분담금은 금감원의 수입예산으로 ▲감독분담금 ▲발행분담금 ▲한은출연금 등으로 구성된다. 이번 개정안은 금융회사가 납부해야 하는 발행분담금 항목 중 일부를 감면해 주는 것을 골자로 한다.

 

감면 대상은 ‘커버드본드(이중상환청구권부 채권)’와 ‘P-CBO(프라이머리 채권담보부증권)’ 등이다. 커버드본드에 대해서는 발행분담금 전액을 면제(요율 0.04%)하고, P-CBO의 경우 발행 기초자산 금액 중 중소기업이 발행한 채무증권 비율만큼 발행분담금을 면제한다.

 

금융위가 이번 개정안을 추진한 이유는 가계부채 구조 개선(커버드본드)과 중소기업 자금조달 부담 완화(P-CBO) 등 2가지다. 커버드본드는 금융사가 담보자산을 기초로 발행하며 투자자에 우선변제권·이중상환청구권을 부여하는 채권을 말한다.

 

금융위 관계자는 “커버드본드를 활용하면 다양한 장기·고정금리 주택담보대출 유도 등 부채구조 개선과 함께 금융기관의 자금조달 수단 다변화에 유리하다”며 “가계부채의 안정적 관리 지원을 위해 커버드본드 발행을 지원하는 것”이라고 말했다.

 

P-CBO는 저신용기업 발행 회사채를 유동화회사(SPC)가 매입하고, 신용보증기금 등으로부터 보증을 받아 신용등급을 높여 발행하는 유동화증권이다. 주로 회사채 발행이 어려운 중소기업 등이 자본시장에서 자금을 조달할 수 있도록 지원하는 제도다.

 

이와 관련, 금융위 관계자는 “P-CBO 발행분담금 비용이 줄면 기초자산인 회사채 금리를 낮출 수 있어 중소기업 자금조달 부담을 완화할 수 있다”고 말했다.

 

현재 P-CBO 발행분담금 요율은 0.05%~0.07% 수준이며, 신보는 발행분담금 절감분만큼 중소기업 채권금리를 낮출 계획이다. 금융위는 연간 총 10억원 수준의 조달비용 절감효과를 기대하고 있다.

 

한편, 일각에서는 발행분담금이 줄면 결국 금감원의 수입예산이 줄어드는 것 아니냐는 말이 나온다. 이에 대해 금융위 측은 발행분담금 규모가 전체 수입예산에 차지하는 비중이 적고, 모자른 부분은 다른 예산에서 채워준다는 입장이다.

 

작년 기준, 금감원의 수입예산은 총 3625억원이며, 감독분담금 2811억원(78%), 발행분담금 682억원(19%), 한은출연금 100억원(3%) 등으로 구성된다.

 

이와 관련, 금융위 금융정책과 관계자는 “이번 개선안을 통해 감면되는 발행분담금은 규모는 미미한 수준이고, 실제로 발행분담금이 줄어들어도 그 줄어든 금액을 감독분담금을 늘려 채워주기 때문에 총예산 규모에는 변화가 없다”고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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