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현대백화점免, 작년 하루당 42억 손실...“내년 적자축소 쉽지 않을 듯”

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Friday, February 08, 2019, 18:02:44

작년 백화점 부문 영업이익 전년 보다 4.8% 증가..점포 확장 등 기존 점포 성장 견인
면세점 256억 영업적자 기록해 실적 부진..신규 브랜드 입점 호재·업계 과당경쟁은 발목

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ 지난해 10월 현대백화점면세점 무역센터점을 방문했을 때 매장 곳곳에 가림막이 쳐져 있었다. 면세점 사업에 첫 도전하는 현대백화점그룹이 오픈을 하루 앞두고, 언론에 면세점을 공개했는데 예상보다 텅 비어있는 매장이 많았다.

 

면세점 매출 대부분을 차지하고 있는 럭셔리 브랜드 입점이 확정되지 않았기 때문이다. 올해 현대백화점면세점은 프라다, 까르띠에 브랜드가 추가 입점 예정이며, 샤넬, 에르메스, 루이비통 브랜드 입점도 추진 중이다. 

 

면세업계 강남시대 본격화까지 시간이 걸릴 것으로 보인다. 현대백화점그룹이 면세점 사업 후발주자로 신세계면세점 강남점, 롯데면세점 월드타워점에 도전장을 내밀었지만, 작년 하루 영업 적자폭이 42억원을 기록하며 예상보다 실적이 부진했다. 

 

8일 업계에 따르면 지난해 현대백화점 4분기 매출액은 5310억원으로 전년 보다 7.3% 늘었지만, 영업이익은 987억원으로 15.4% 감소했다. 같은 기간 당기순이익은 788억원으로 25.4% 증가했다. 

 

백화점 총 매출액은 1조 6418억원으로 전년 보다 1.4% 성장했다. 백화점 부문 영업이익도 1238억원으로 4.8% 증가했다. 압구정 본점과 판교점, 천호점의 증축효과와 아웃렛 영업면적 확장(김포 증축, 대구아웃렛 9월 위탁운영)이 매출 성장을 견인했다. 

 

올해 백화점 전망도 긍정적인 편이다. 작년 백화점 기존 점포의 성장이 두드러진 데 이어 올해 백화점 경쟁력이 지속될 것이라는 분석이다. 문제는 면세점이다. 작년 11월부터 영업을 시작한 면세점이 두 달 동안 700억원 총 매출에 256억원의 영업손실을 기록했다. 

 

현대백화점면세점은 오픈 당시 170억원의 영업손실을 예상했지만, 오픈 초기 광고판촉비 증가 등으로 적자폭이 커졌다. 업계에 따르면 올해 면세점 부문 총 매출액은 5600억원, 영업손실은 590억원 수준으로 추정되고 있다. 

 

올해 3월과 5월 각각 프라다와 까르띠에 명품 브랜드 입점이 예정돼 있는 가운데, 일매출 증가로 이어질지 지켜봐야 한다는 분석이다. 다만, 강남 면세점을 중심으로 고객 유치를 위한 판촉행사가 이어질 경우 적자 축소는 쉽지 않을 수 있다는 전망도 나온다. 

 

업계 관계자는 “작년 하반기 면세점 강남시대 얘기가 나왔는데, 입지가 강남인 점이랑 업계 후발주자로 수익성 측면에서 열위에 있다”면서 “향후 브랜드 입점과 중국인 단체 관광객 확보 등을 고려해 정상 궤도에 오르기까지 시간이 필요할 것으로 보인다”고 말했다. 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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