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삼성전자, 5G 통신 핵심칩 개발...올 2분기 양산

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Friday, February 22, 2019, 14:02:51

지원 주파수와 통신 성능 강화된 밀리미터파 기지국용 통신칩

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ 삼성전자가 5세대 이동통신(5G) 밀리미터파(㎜Wave) 기지국용 무선 통신 핵심칩(RFIC) 개발에 성공했다.

 

삼성전자 관계자는 “차세대 무선 통신 핵심칩은 지원 주파수와 통신 성능을 대폭 개선했다”며 “저전력 성능은 여전히 업계 최고 수준인 것이 특징이다”라고 말했다. 이미 지난 2017년 삼성전자는 높은 저전력 성능을 가진 1세대 무선 통신 핵심칩을 개발한 바 있다.

 

이번 무선 통신 핵심칩은 신호 대역폭을 기존 800㎒에서 1.4㎓로 75% 확대했다. 노이즈와 선형성 특성을 개선해 송수신 감도를 향상시켜 최대 데이터 전송률과 서비스 커버리지를 확대했다.

 

크기도 전보다 약 36% 작아졌고 저전력 기능과 방열구조물 최소화로 5G 기지국을 더욱 소형화할 수 있다. 이번 핵심칩은 28㎓와 39㎓ 주파수에 대응할 수 있어 이 대역을 5G 상용 주파수로 선정한 미국과 한국 등에서 5G 제품 경쟁력을 강화할 수 있게 됐다.

 

삼성전자는 올 2분기부터 차세대 무선 통신 핵심칩을 양산할 예정이다. 유럽과 미국에서 추가 할당 예정인 24㎓·47㎓ 주파수 대응 칩은 올해 안에 추가 개발한다.

 

디지털-아날로그 변환 칩(DAFE) 자체 개발에도 성공했다. 이 칩은 5G 초광대역폭 통신 시 디지털 신호와 아날로그 신호를 상호 변환하는 칩이다. 5G 기지국에 설치하면 제품 크기·무게·전력 소모를 약 25% 줄일 수 있다.

 

삼성전자 관계자는 “이러한 기지국 소형화와 경량화는 통신 사업자의 네트워크 투자비용·운영비용을 줄여 더 많은 지역에서 5G 서비스를 제공할 수 있다”고 말했다.

 

전경훈 삼성전자 네크워크 사업부장 부사장은 “삼성전자는 한국과 미국에서 5G 상용화를 선도하고 있으며 국내외 핵심 사업자들에게 3.6만대가 넘는 5G 기지국 공급을 완료했다”며 “지속적인 기술 차별화로 5G 인프라 확산을 가속화할 것”이라고 말했다.

 

한편 시장조사 기관 IHS 마킷에 따르면 지난해 기준 삼성전자의 전 세계 통신 장비 점유율은 3% 수준이다. 통신 장비 시장 점유율은 중국 화웨이와 스웨덴 에릭슨, 핀란드 노키아가 각각 28%·27%·23%로 선두에 있다.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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