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Column 칼럼

[가업승계세제] ① 상속 전(前) 승계 때 고려사항은?

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Tuesday, March 05, 2019, 07:03:44

[최정욱의 이지고잉 회계세무] 증여세 과세특례 조건 충족 필요..‘사업무관자산’ 여부 확인

 

[최정욱 공인회계사] #. A씨(70세)는 경기도 안양에서 금속 기계 부품을 제조하는 법인을 운영하면서 개인적으로 상가 건물을 임대하고 있다. 최근 미국에서 대학원 유학까지 마친 자녀(37세)가 멀쩡하게 다니던 대기업을 나와 자신의 사업을 이어가겠다고 선언하는 바람에 세금부담 없이 가업을 승계할 방법을 찾고 있었다.

 

A씨는 인터넷을 통해 가업승계세제를 살펴봤지만, 세법에 문외한이라 잘 정리가 되지 않았다. 우리나라 세법에서 제공하는 가업승계세제에는 어떤 것이 있을까?

 

우선 A씨는 상속 전에 승계를 시킬 것인지 아니면 상속이 일어날 때까지 승계를 미룰 것인지 결정을 해야 한다. 일반적으로 상속 전의 승계는 증여세가 부과되는데, 우리나라 세법에서는 요건을 갖춘 법인에 한해 저율과세 혜택을 마련하고 있다. 이를 ‘가업승계 증여세 과세특례’라고 한다.

 

증여세 과세특례의 경우 가업에 해당하는 지분을 증여 받을 때 지분가치에서 5억원을 공제하고 30억까지는 10%, 100억원까지는 20%의 세율이 적용된다. 일반적인 증여세가 지분가치 30억원을 넘을 경우 최대 50%의 세율이 적용되는 데 비해 현저히 낮다.

 

증여세 과세특례를 받기 위해서는 ▲부모는 60세 이상 ▲자녀는 18세 이상 ▲부모가 10년 이상 영위한 사업이어야 한다. 다만, 해당 사업이 임대업이나 카지노업, 관광 유흥 음식점업 등에 해당한다면 혜택을 받을 수 없고, 일반적인 도소매업이나 제조업 등 세법에서 정한 업종은 세제혜택을 누릴 수 있다.

 

한편, 제조업 등 세법에서 세제혜택을 받을 수 있는 법인이더라도 법인 보유 자산 중 일부는 일반적인 증여세가 과세되는 경우가 있어 주의가 요구된다.

 

타인에게 임대하고 있는 부동산, 과다 보유 중인 현금, 법인의 영업활동과 직접 관련 없이 보유하고 있는 주식·채권과 금융상품 등이 대표적이다. 이러한 자산은 ‘사업무관자산’으로 판단돼, 지분가치의 일부가 일반적인 증여세 과세 대상이 될 수 있다.

 

또한, 자녀는 증여 받은 후 증여세 신고 기한까지는 가업에 종사하기 시작하되, 증여일로부터 5년 이내에 대표이사에 취임해야 한다. 증여 후 7년 이내에 가업에 종사하지 않거나 휴업·폐업을 한 경우, 지분을 감소시키는 경우는 증여세와 더불어 이자상당액도 같이 추징되므로 조심해야 한다.

 

다만, 예외적으로 증여세가 추징되지 않는 경우도 있다. 자녀가 병역 의무·질병 요양 등으로 직접 가업에 종사할 수 없거나, 합병·분할 등 조직 변경을 사유로 지분을 처분해 최대주주의 지위를 유지한 경우, 상장을 위해 지분을 감소시킨 경우 등이다.

 

앞서 언급한 A씨의 사례를 살펴보면, 제조법인은 가업승계 증여특례의 세제혜택을 받을 수 있지만, 개인적으로 영위 중인 임대업은 증여특례를 받을 수 없다.

 

아울러, 제조법인의 공장 부동산이나 기계장치 중 일부를 임대하고 있다면 이에 해당하는 가액은 일반적인 증여세가 부과될 수 있으므로 증여 전 확인이 필요하다. 사업무관자산이 존재하는지 여부도 추가적으로 살펴 가업승계 증여특례를 통해 승계가 가능한지 따져봐야 한다.

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최정욱 공인회계사 기자 mirip@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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