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‘노트북보다 큰 용량’..삼성전자, 세계 최대 용량 모바일 D램 양산

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Thursday, March 14, 2019, 10:03:23

12GB 모바일 D램 양산 시작..노트북 용 8GB D램 모듈보다 높은 수준

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ 지난 1월 세계 최초 스마트폰 내장메모리 1TB(테라바이트) 벽을 넘어선 삼성전자가 이번엔 모바일 D램의 한계를 뛰어넘었다. 갤럭시 폴드 등 신형 스마트폰 성능이 대폭 향상될 전망이다.

 

삼성전자가 역대 최대 용량인 ‘12GB(기가바이트) LPDDR4X(Low Power Double Data Rate 4X) 모바일 D램’을 양산한다고 14일 밝혔다.

 

양산에 들어가는 12GB D램에는 2세대 10나노급(1y) 16기가비트(Gb) 칩을 6개 탑재됐다. 기존 8GB 모바일 D램 보다 1.5배 높은 역대 최대 용량을 구현했다. 이는 노트북에 들어가는 8GB D램 모듈보다도 높은 수준이다. 

 

LPDDR4X란 모바일 기기에 쓰이는 저전력 D램 규격이다. 스마트폰이나 태블릿에 탑재되는 D램은 기기의 두뇌에 해당하는 AP(Application Processor)의 연산을 돕는다. 삼성전자는 2009년 256MB MDDR D램 제품으로 양산을 시작했다. 

 

제품이 탑재되면 폴더블 스마트폰처럼 화면이 큰 기기에서 여러 애플리케이션을 실행하기가 수월하다. 삼성전자는 ‘갤럭시S10+’과 곧 출시될 ‘갤럭시 폴드’에 5개 이상의 카메라·대형 멀티 디스플레이·인공지능 프로세서·5G 통신서비스를 도입하고 있다. 

 

12GB D램은 대용량을 패키지 하나로 구현해 소비전력 효율을 높였다. 패키지 두께가 1.1mm로 얇아 배터리 탑재 면적도 키울 수 있다. 새 D램은 현재 모바일 기기에 사용되는 가장 빠른 초당 34.1기가바이트(GB)로 데이터를 읽고 쓴다.

 

전세원 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 부사장은 “12GB 모바일 D램을 본격 양산해 차세대 플래그십 스마트폰에 필요한 모든 메모리 라인업을 업계 유일하게 공급하게 됐다”며 “D램 수요 증가에 맞춰 평택 생산 비중을 확대해 시장에서 위상을 강화시켜 나갈 것”이라고 밝혔다.

 

삼성전자 관계자는 “이달 12GB 모바일 D램 양산을 시작으로 하반기에는 8GB 이상 고용량 모바일 D램 라인업의 공급 물량을 3배 이상 확대해 글로벌 IT 기업들의 프리미엄 메모리 수요 증가에 적극 대응할 계획”이라고 말했다.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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