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KB국민은행, ‘3.1 독립선언광장’ 건립에 1억원 후원

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Tuesday, March 19, 2019, 10:03:37

‘대한이 살았다’ 기념 영상 공유 캠페인 통해 조성..주춧돌 발굴·운반비용 등에 사용될 예정

[인더뉴스 정재혁 기자] KB국민은행이 ‘3.1 독립선언광장’ 건립을 위해 1억원의 후원금을 지원한다.

 

KB국민은행(은행장 허인)은 19일, ‘3.1운동 및 대한민국 임시정부 수립 100주년’을 기념해 제작한 기념 영상 ‘대한이 살았다’의 공유 캠페인을 통해 ‘3.1 독립선언광장’ 후원금 1억원 조성에 성공했다고 밝혔다.

 

지난달 27일 SNS채널 등을 통해 공개된 ‘대한이 살았다’는 3.1운동 직후 서대문형무소 여옥사 8호실에 함께 투옥돼 옥중에서도 만세운동을 펼친 7인의 여성 독립운동가들이 서로를 위로하고 독립에 대한 열망을 드높이고기 위해 지어 부른 노래다.

 

후손들에 의해 가사만 전해지다 이번에 KB국민은행이 선율을 재창작했다. 정재일, 박정현, 김연아가 음원과 기념 영상 제작에 참여한 바 있다.

 

KB국민은행은 3.1운동 100주년에 대한 국민적 관심과 기부 참여 활성화를 위해 해당 영상에 공유·좋아요 건당 3100원을 기부금으로 조성해, 최대 1억원을 ‘3.1 독립선언광장’ 건립에 후원하는 캠페인을 진행했다.

 

19일 현재, 해당 영상의 좋아요·공유 건수는 약 5만 3000여건(조회수 약 300만건, KB금융그룹, KB국민은행, 스브스 뉴스 SNS 채널 합산 기준)으로 집계됐다. 후원금 최대 규모인 1억원에 필요한 3만 3000여건을 크게 초과한 기록이다.

 

KB국민은행 관계자는 “해당 후원금은 독립선언문이 선포된 서울 태화관 터 ‘3.1 독립선언광장’에 세워질 주춧돌 발굴과 운반비용 등으로 활용될 예정”이라고 말했다.

 

한편, KB국민은행은 신인 동화 작가 등용문인 2019년 KB창작동화집 ‘동화는 내 친구(통권 제28호)’ 특별판 발행을 통해 3.1운동 100주년 기념 사업을 이어 나간다.

 

이번 공모전은 ‘3.1운동 및 대한민국 임시정부 수립 100주년’ 관련 특별 주제가 추가돼 지난 2월 한 달간 진행됐다. 특별 주제 306편을 포함 총 811편의 동화가 접수됐으며, 최종 심사를 통해 독립운동의 한 장면을 가족사와 연계한 ‘강이 아는 일’이 대상작으로 선정됐다.

 

수상작품(특별상·장려상 이상 8편)이 수록된 ‘동화는 내친구’는 5월 초 전국 초등학교과 도서관 등 1만 3000여 곳에 무상으로 배부될 예정이다.

 

KB국민은행 관계자는 “이번 캠페인을 통해 100년 전 선조들의 숭고한 희생 정신을 100년 후오늘을 사는 대한민국 국민 모두가 되새기고, 동시에 그 분들께 감사함과 존경심을 전할 수 있게 돼 기쁘다”며 “앞으로 조성될 3.1독립선언광장을 통해 세상을 바꾼 100년 전 외침이 영원히 후손들에게 전달되길 바란다”고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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