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한국지엠·르노삼성, 탈꼴찌 경쟁 점입가경...“신뢰회복부터 먼저”

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Monday, April 01, 2019, 18:04:37

르노삼성, 3월 내수판매량 120대 차이로 4위..올들어 매달 순위 변동
1만대 돌파한 쌍용차는 3위..소비자 입맛 사로잡은 신차가 희비 갈라

 

인더뉴스 박경보 기자ㅣ 내수 판매 부진으로 동병상련을 겪고 있는 한국지엠과 르노삼성차의 탈꼴찌 싸움이 점점 더 치열해지고 있다.

 

양사는 올해 들어 매달 100여 대 차이로 4위 자리를 바꾸며 치열한 혈투를 벌이는 중이다. 하지만 정작 3위권과는 격차가 상당해 판매 확대를 위한 신뢰 회복이 시급하다는 지적이 나온다.

 

1일 한국지엠과 르노삼성에 따르면 양사는 지난 3월 내수 시장에서 각각 6540대와 6420대를 판매했다. 한국지엠의 판매량은 전년 동월 대비 2.4% 증가했지만, 간발의 차이로 최하위에 그쳤다.

 

올해 1월부터 3월까지 양사는 매달 4위 자리를 나눠가지며 뜨거운 순위경쟁을 펼쳤다. 지난 1월엔 5174대를 판매한 한국지엠이 불과 121대 차이로 르노삼성(5053대)을 누르고 4위에 올랐다. 반면 2월엔 4위를 차지한 르노삼성(5177대)이 한국지엠(4923대)을 254대 격차로 따돌렸다.

 

지난달엔 올 들어 가장 적은 120대 차이로 르노삼성이 4위를 기록했다. 특히 한국지엠은 지난해 10월 이후 5개월 만에 전년보다 판매가 늘었지만, 오히려 전년 대비 16.2% 감소한 르노삼성에 밀리면서 아쉬움을 삼켰다.

 

이처럼 하위권 회사들의 탈꼴찌 싸움이 격화되고 있지만, 문제는 3위인 쌍용차와의 격차는 더욱 벌어지고 있다는 점이다. 실제로 쌍용차는 지난 3월 내수 시장에서 총 1만 984대를 판매해 지난 2015년 12월(1만 1351대) 이후 39개월 만에 최대 실적을 올렸다.

 

쌍용차는 지난해 연간 내수 판매량으로도 15년 만에 3위를 달성했다. 쌍용차는 2016년까지만 해도 ‘만년 꼴찌’였지만, 2017년 4위에 이어 이듬해엔 3위 티켓을 거머쥐었다. 꾸준히 상위권을 놓고 다투던 한국지엠과 르노삼성으로선 자존심이 상할 수밖에 없는 대목이다.

 

이 같은 결과에 대해 업계 전문가들은 ‘소비자 입맛에 맞는 신차의 적기 출시’ 여부가 희비를 갈랐다고 분석했다. 티볼리에 이어 렉스턴 스포츠, 코란도 등을 잇따라 내놓고 시장을 공략한 쌍용차와는 달리 르노삼성과 한국지엠은 매력적인 신차가 없었다는 이야기다.

 

김필수 대림대학교 자동차학과 교수는 이날 인더뉴스와의 통화에서 “국내 소비자들의 눈높이는 글로벌 시장에서 가장 높은 편”이라며 “하지만 르노삼성과 한국지엠은 신차 투입시기가 너무 늦고 제품 및 가격 경쟁력도 경쟁사에 비해 떨어진다”고 지적했다.

 

그는 이어 “외국계 회사인 양사는 판매 부진과 노사 분규를 겪으며 철수에 대한 우려를 떨쳐내지 못하고 있다”며 “판매를 회복하려면 경쟁력 갖춘 한국 전략차종을 적기에 내는 것은 물론, 다양한 노력을 통한 소비자 신뢰 회복에 총력을 기울여야 할 것”이라고 조언했다.

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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