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‘김의겸 특혜 대출’ 의혹에 KB국민銀 “사실 무근”

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Wednesday, April 03, 2019, 18:04:22

김종석 의원, 대출 과정서 조작 의혹 제기..은행 측, 보도 해명자료 통해 즉각 반박

[인더뉴스 정재혁 기자] KB국민은행이 김종석 자유한국당 의원이 제기한 ‘김의겸 청와대 대변인 특혜 대출’ 의혹과 관련해 보도자료까지 내며 적극 해명하고 나섰다. 국회의원 등 정치인의 문제 제기에 대해 해당 기업이 반박자료를 내는 것은 이례적이다.

 

3일 오전, 국회 정무위원회 소속인 김종석 자유한국당 의원은 국회에서 열린 긴급 원내대책회의에서 김의겸 전 청와대 대변인의 서울 흑석동 상가 투기 의혹과 관련해 “KB국민은행이 매입 자금을 더 빌려주기 위해 특혜를 제공했다”고 주장했다.

 

김 전 대변인이 상가 구입 목적으로 KB국민은행에서 10억 2000만원을 대출 받았는데, 이 과정에서 특혜가 작용했다는 것이다. 은행 측이 대출 서류를 검토하는 과정에서 조작을 했고, 이로 인해 실제 대출 가능 금액보다 더 많은 대출이 나갔다는 주장이다.

 

이와 관련, 김 의원은 KB국민은행으로부터 받은 자료를 제시하면서 “(김 전 대변인의) 2층 상가 건물에 상가 10개가 입주 가능한 것으로 돼 있고, 이를 근거로 월 525만원의 임대료 수입이 산정됐다”며 “하지만, 실제로 해당 상가에는 1층에 상가 3개, 2층에 시설 1개만 들어있었다”고 말했다.

 

이어 “이 건물은 실제로는 월 275만원의 수입을 올리고 있었다”며 “상가 10개가 입주할 수 있다는 가정하에 월 525만원의 임대료 수입을 산정해 10억이 넘는 대출을 실행한 것은 RTI(임대업 이자 상환 비율) 조작”이라고 설명했다.

 

김 의원의 의혹 제기에 대해 KB국민은행 측은 보도 해명자료를 통해 “본건의 경우 당국의 ‘개인사업자 여신심사 가이드라인’ 및 당행 부동산임대업 신규 취급기준에 맞게 정상 취급된 것”이라며 “고객에게 특혜를 제공한 사실이 없다”고 말했다.

 

우선, 입주 가능한 상가 수를 늘렸다는 주장에 대해서는 “감정평가법인의 감정평가서 ‘건물개황도’상에 임대가능목적물이 10개로 구분돼 있어 이를 반영한 것”이라며 “입주 가능 상가 수에 따라 임차인 보호를 위한 우선변제보증금을 대출액에서 빼야하기 때문에 오히려 실제 대출액은 더 줄었다”고 말했다.

 

한편, RTI는 금융당국이 운영 중인 대출 규제의 일종으로, 은행은 연 임대료 수입 총액이 상가와 관련된 연 대출이자의 1.5배(RTI 1.5)를 넘지 못 한다고 판단되면 해당 대출을 취급할 수 없다. RTI 규제는 지난해 10월에 강제 규정으로 변경됐다.

 

RTI 조작 의혹에 대해 KB국민은행은 “특혜는 없었다”는 입장이다. 김 전 대변인에게 대출이 나간 지난해 8월은 RTI 규제가 강제 사항이 아닌 가이드라인이었고, 당시에는 RTI 기준에 미달되는 대출이라도 부동산 임대업 신규 취급 한도의 10% 이내에서 대출이 가능했다는 것이다.

 

KB국민은행 관계자는 “부동산 임대사업자에 대한 RTI 규제는 지난해 3월 도입됐고, 당시에는 RTI가 미달이어도 신규대출의 일정 비율 이내에서 RTI를 예외 적용할 수 있었다”며 “김 전 대변인의 대출 건은 예외 적용이 사라진 10월보다 이전인 8월에 정상 취급됐다”고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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